处理中...

首页  >  产品百科  >  KIA830S-VB

KIA830S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;VDS=650V;ID =4A;RDS(ON)=2200mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=2750mΩ@VGS=4.5V;VGS=±30V;Vth=3.5V;用于工厂自动化控制系统、机器人和电动工具中的功率开关控制。
供应商型号: KIA830S-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KIA830S-VB

KIA830S-VB概述

    KIA830S Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    KIA830S 是一款高性能的N沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),具有低门极电荷、优良的门极耐压、雪崩和动态 dv/dt 耐压能力。它适用于广泛的电力转换和控制应用,如电源管理系统、电机驱动器、太阳能逆变器等领域。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDS): 650V
    - 门源阈值电压 (VGS(th)): 2.5V 至 5.0V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 2.1Ω(在 VGS = 10V)
    - 总门极电荷 (Qg): 48nC(在 VGS = 10V)
    - 输入电容 (Ciss): 1417pF(在 VGS = 0V)
    - 输出电容 (Coss): 177pF(在 VGS = 0V)
    - 反向转移电容 (Crss): 7.0pF
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 325mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR): 4A
    - 最大连续漏极电流 (ID): 4.2A(TC = 25°C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 18A
    - 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 存储温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 热阻 (RthJA): 65°C/W
    - 热阻 (RthJC): 2.1°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低门极电荷: 减少了驱动需求,简化了驱动电路设计。
    - 改善的门极耐压: 增强了门极、雪崩和动态 dv/dt 的耐用性。
    - 全范围电气特性: 包括门极、雪崩和动态 dv/dt 特性的完整描述。
    - 符合RoHS标准: 确保产品的环保合规性。

    4. 应用案例和使用建议


    KIA830S 广泛应用于各类电源转换和电机控制场景,例如:
    - 太阳能逆变器: 利用其高耐压能力和低导通电阻,提供高效能的电能转换。
    - 电机驱动器: 在电机启动和停止时,利用其良好的动态 dv/dt 耐压能力,实现平稳控制。
    - 开关电源: 适合于需要快速响应的应用,其低门极电荷减少了延迟时间。
    使用建议:
    - 在高频率切换应用中,需注意散热问题,确保热阻管理得当。
    - 选择合适的门极驱动电阻以优化开关时间和功耗。

    5. 兼容性和支持


    KIA830S 支持标准的 TO-252 封装,易于集成到现有的设计中。制造商提供了详细的技术支持和维护服务,包括热管理和故障排除指南。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 门极电荷过高导致驱动困难。
    - 解决办法: 使用门极电阻调节,降低门极电荷。
    - 问题: 高温环境下电流受限。
    - 解决办法: 采用适当的散热措施,如增加散热片或使用水冷装置。
    - 问题: 重复雪崩电流不稳定。
    - 解决办法: 检查电路设计,确保正确的负载条件和门极驱动信号。

    7. 总结和推荐


    KIA830S 是一款性能优异、应用广泛的功率 MOSFET,尤其适合高电压和大电流的应用场合。其低门极电荷和优秀的电气特性使其成为众多电力系统设计的理想选择。强烈推荐在要求高效能和高可靠性的应用场景中使用此产品。

KIA830S-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 4A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.2Ω(mΩ)
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
栅极电荷 -
FET类型 2个N沟道
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

KIA830S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KIA830S-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KIA830S-VB KIA830S-VB数据手册

KIA830S-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
2500+ ¥ 1.6556
库存: 400000
起订量: 15 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 29.15
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831