处理中...

首页  >  产品百科  >  K3534-VB

K3534-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;N沟道;VDS=900V;ID =5A;RDS(ON)=1500mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;在太阳能逆变器中,可用于功率开关模块,实现太阳能电池板的高效能转换和电网连接。
供应商型号: K3534-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3534-VB

K3534-VB概述

    K3534-VB N-Channel 900 V Super Junction Power MOSFET

    产品简介


    K3534-VB 是一款高性能的N沟道超结功率MOSFET,具备强大的动态开关能力、重复雪崩额定值、隔离中央安装孔、快速切换特性、并行简单以及简单的驱动需求等特点。它符合RoHS指令(2002/95/EC),是一款适用于多种电力转换和控制应用的理想选择。广泛应用于电信、工业自动化、新能源汽车、光伏逆变器、电机驱动等领域。

    技术参数


    | 参数 | 型号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压(VDS) | K3534-VB 900 V |
    | 栅源阈值电压(VGS(th)) 2.0 | 4.0 V |
    | 零栅电压漏电流(IDSS) | 100 | μA |
    | 导通电阻(RDS(on)) | VGS=10 V 1.2 Ω |
    | 重复雪崩电流(IAR) 7.8 A |
    | 重复雪崩能量(EAR) 19 mJ |
    | 单脉冲雪崩能量(EAS) 770 mJ |
    | 最大耗散功率(PD) | TC=25°C 190 W |
    | 工作温度范围(TJ, Tstg) -55 +150 | °C |

    产品特点和优势


    1. 动态dV/dt等级:K3534-VB具备卓越的动态dV/dt等级,适合高压和高速开关应用。
    2. 重复雪崩额定值:具备强大的雪崩耐受能力,确保安全可靠的工作环境。
    3. 隔离中央安装孔:设计有助于散热和减少电磁干扰。
    4. 快速切换:能够实现高速开关操作,减少能耗。
    5. 并联简单:易于多个MOSFET的并联,提高系统可靠性。
    6. 简单的驱动要求:降低了对外部驱动电路的需求,简化系统设计。

    应用案例和使用建议


    K3534-VB MOSFET适用于多种高功率转换和控制应用,例如光伏逆变器、电池充电器、开关电源和电机驱动系统。为了获得最佳性能,在设计电路时,需要注意以下几点:
    - 确保电路板布局合理,尽量减小寄生电感。
    - 使用适当的热管理措施,以防止过热。
    - 注意驱动信号的质量,确保可靠的开关操作。

    兼容性和支持


    K3534-VB 支持与各种控制器和驱动器配套使用,确保其广泛的适用性。制造商提供详尽的技术文档和支持服务,包括样品测试、应用指导和售后支持。如需更多技术支持,可通过公司服务热线400-655-8788或访问官网www.VBsemi.com获取更多信息。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 调整驱动信号频率和电压 |
    | 过温保护 | 加强散热,优化热设计 |
    | 雪崩击穿 | 确保电路设计合理 |

    总结和推荐


    K3534-VB是一款高性能的N沟道超结功率MOSFET,具备出色的开关特性和高可靠性,非常适合在高功率转换和控制应用中使用。通过严格的测试和设计验证,K3534-VB展现出卓越的电气性能和耐用性。如果您需要一个高效且可靠的功率MOSFET,强烈推荐使用K3534-VB。

K3534-VB参数

参数
最大功率耗散 -
通道数量 1
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 900V
Id-连续漏极电流 5A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5Ω(mΩ)
FET类型 2个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3534-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3534-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3534-VB K3534-VB数据手册

K3534-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 68.02
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336