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IPA90R1K0C3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;N沟道;VDS=900V;ID =9A;RDS(ON)=560mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;在各种电源管理模块中,该产品可用于功率开关控制,如电源开关、电压稳定器等。
供应商型号: IPA90R1K0C3-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPA90R1K0C3-VB

IPA90R1K0C3-VB概述

    IPA90R1K0C3-VB 900V N-Channel Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    IPA90R1K0C3-VB 是一款高性能的900V N-Channel Super Junction功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它专为服务器和电信电源供应系统、开关模式电源供应系统(SMPS)、功率因数校正电源供应系统(PFC)以及高强度放电灯(HID)和荧光灯照明设计。该产品因其低功耗和高效能而受到广泛应用。

    技术参数


    - 最大耐压:VDS = 900V
    - 通态电阻:RDS(on) = 0.60Ω @ VGS = 10V, ID = 6A
    - 最大连续漏极电流:ID = 8A @ TJ = 150°C
    - 总栅极电荷:Qg max. = 73nC @ VGS = 10V
    - 栅源电荷:Qgs = 9nC
    - 栅漏电荷:Qgd = 17nC
    - 单脉冲雪崩能量:EAS = 226mJ
    - 最大功率损耗:PD = 156W
    - 热阻:RthJA = 62°C/W
    - 工作温度范围:TJ, Tstg = -55 to +150°C

    产品特点和优势


    IPA90R1K0C3-VB 具备多种独特的功能和优势,使其在各种应用中表现出色:
    - 低功耗:超低栅极电荷(Qg)和极低输入电容(Ciss),减少开关和导通损耗。
    - 高可靠性:通过Avalanche能量评级,确保在恶劣条件下的稳定运行。
    - 优化设计:适用于服务器和电信设备中的电源供应系统,能够满足高强度放电灯(HID)和荧光灯照明的需求。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源供应系统:这种高耐压和低损耗的特点使得IPA90R1K0C3-VB特别适合用于电信电源供应系统。
    - 开关模式电源供应系统(SMPS):由于其低栅极电荷(Qg)和低输入电容(Ciss),该MOSFET能够在开关模式电源供应系统中有效降低损耗。
    - 照明:该MOSFET可应用于高强度放电灯(HID)和荧光灯照明系统中,提供高效的驱动能力。
    使用建议:
    - 确保MOSFET的安装符合标准热阻要求,避免因过热导致的性能下降。
    - 在应用中注意栅极驱动电压的选择,以确保最佳性能。

    兼容性和支持


    IPA90R1K0C3-VB 与其他标准的N-Channel MOSFET具备良好的兼容性,适用于广泛的电路设计。供应商提供全面的技术支持和服务,确保用户能够顺利集成并优化其应用。

    常见问题与解决方案


    1. Q:如何正确安装IPA90R1K0C3-VB?
    - A: 安装时应注意散热设计,确保器件与散热片接触良好,同时避免电磁干扰。
    2. Q:如何避免因栅极过电压导致的损坏?
    - A: 使用合适的栅极驱动电路,限制栅极电压不超过器件额定值,同时考虑增加保护电路如TVS二极管。
    3. Q:如何应对高温工作环境?
    - A: 在高温环境下工作时,应采用更好的散热设计,例如使用大尺寸散热片或散热风扇,以保证器件正常工作。

    总结和推荐


    IPA90R1K0C3-VB 是一款高效且可靠的N-Channel Super Junction功率MOSFET,适用于多种工业和商业应用场景。其卓越的性能和可靠的设计使其成为现代电力电子系统的理想选择。我们强烈推荐此产品用于需要高性能、高可靠性的电源管理系统和照明系统中。
    如有任何疑问,请联系我们的服务热线:400-655-8788。
    以上是基于提供的技术手册内容所编写的产品介绍和详细技术说明。希望这份文档对您有所帮助。

IPA90R1K0C3-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 560mΩ(mΩ)
通道数量 1
配置 -
Id-连续漏极电流 9A
FET类型 2个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 900V
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IPA90R1K0C3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPA90R1K0C3-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPA90R1K0C3-VB IPA90R1K0C3-VB数据手册

IPA90R1K0C3-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 9.1693
1000+ ¥ 8.7706
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