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IPI052NE7N3 G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO262;N沟道;VDS=80V;ID =85A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=10mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;可以用于驱动和控制各种电机、阀门和执行器,帮助实现自动化生产线的高效运行和精确控制。
供应商型号: IPI052NE7N3 G-VB TO262
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPI052NE7N3 G-VB

IPI052NE7N3 G-VB概述


    产品简介


    IPI052NE7N3 G-VB是一款N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有80V的最大漏源电压(VDS)。这款电子元器件专为高效开关应用设计,广泛应用于主侧开关、同步整流、直流/交流逆变器以及LED背光系统等领域。

    技术参数


    - 主要特性:
    - TrenchFET®功率MOSFET
    - 100% Rg和UIS测试
    - 关键参数:
    - 漏源击穿电压 (VDS):80 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):0.0065 Ω (VGS = 10 V),0.0070 Ω (VGS = 6 V),0.0100 Ω (VGS = 4.5 V)
    - 最大持续漏电流 (ID):30 A (TJ = 25 °C)
    - 门极充电量 (Qg):17.1 nC (VDS = 40 V, VGS = 10 V, ID = 10 A)
    - 工作条件:
    - 最大工作温度范围:-55°C 至 150°C
    - 最大工作湿度:无限制

    产品特点和优势


    IPI052NE7N3 G-VB具备以下显著特点:
    - 高效的功率损耗:该MOSFET具有低RDS(on)值,保证了高效率的功率传输。
    - 可靠的性能:通过了所有Rg和UIS测试,确保长期稳定运行。
    - 广泛应用:适用于多种复杂电路环境,如主侧开关、同步整流等,满足不同应用场景的需求。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在太阳能逆变器中作为主侧开关,提高转换效率。
    - 在LED背光系统中作为驱动器,确保均匀稳定的光照效果。
    使用建议:
    - 建议在安装时使用表面贴装工艺,以提高散热效果。
    - 调整门极驱动电阻 (Rg) 可优化开关速度和减少电磁干扰。

    兼容性和支持


    该产品具有良好的兼容性,适用于标准的电路板设计。制造商提供详细的技术支持,包括在线帮助文档、客户支持热线(400-655-8788)和官网资源(www.VBsemi.com)。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何判断MOSFET是否过热?
    - 解决方法:监测其外壳温度,如果超过70°C,需要检查散热措施是否足够。
    问题2:门极驱动电压不稳导致电流波动怎么办?
    - 解决方法:增加滤波电容,确保门极电压稳定。

    总结和推荐


    IPI052NE7N3 G-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于多种高压开关应用场合。它具有高效、可靠的特点,并且通过了多项严格测试,能有效提高系统的整体性能。强烈推荐用于需要高可靠性、高性能的场合。
    以上是关于IPI052NE7N3 G-VB的详细介绍,希望能为您的选择提供参考。如果您有任何疑问,欢迎联系我们的服务热线或访问我们的官网获取更多技术支持。

IPI052NE7N3 G-VB参数

参数
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ(mΩ)
Id-连续漏极电流 85A
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Vds-漏源极击穿电压 80V
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 2个N沟道
长*宽*高 3.2mm*3.2mm*800μm
通用封装 TO-262
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPI052NE7N3 G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPI052NE7N3 G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPI052NE7N3 G-VB IPI052NE7N3 G-VB数据手册

IPI052NE7N3 G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.8594
100+ ¥ 4.4995
500+ ¥ 4.3194
1000+ ¥ 4.1395
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