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IXFH32N50-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,500V,50A,RDS(ON),90mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V)封装:TO247 凭借其高电压和高电流处理能力以及较低的导通电阻,适用于各种需要高效、高电压和高功率的应用,为电源管理、电机驱动和开关应用
供应商型号: IXFH32N50-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXFH32N50-VB

IXFH32N50-VB概述


    产品简介


    IXFH32N50-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道超级结功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),额定电压为500V,电流容量高达32A。这款MOSFET设计用于高压环境下的开关电源和高频电路,具有低导通电阻(RDS(on))和高可靠性。它适用于不间断电源、高速功率开关以及硬开关和高频电路等领域。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS): 500V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 10V栅极驱动时,最大值为0.080Ω
    - 最大总栅极电荷 (Qg): 350nC
    - 栅极-源极电荷 (Qgs): 85nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd): 180nC
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 180A
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 910mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR): 40A
    - 重复雪崩能量 (EAR): 51mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 530W
    - 体二极管反向恢复时间 (trr): 620ns至940ns
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg): -55°C至+150°C

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷 (Qg): 低栅极电荷降低了驱动要求,简化了驱动电路设计。
    2. 增强的栅极、雪崩及动态dv/dt耐用性: 改进了耐久性,使其在严苛环境中更可靠。
    3. 完全标定的电容和雪崩电压及电流: 确保了精确的操作特性。
    4. 低导通电阻 (RDS(on)): 降低了功耗,提高了效率。
    5. 符合RoHS标准: 满足环保要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源 (SMPS): 适用于电源转换器中,因其低导通电阻可以提高效率。
    - 不间断电源 (UPS): 高可靠性使得其在关键电力应用中表现出色。
    - 高速功率开关: 在高频下保持稳定,满足快速开关需求。
    使用建议:
    - 电路设计优化: 建议优化电路布局以降低寄生电感,提升系统稳定性。
    - 散热管理: 确保良好的散热设计,避免因过热导致性能下降。
    - 合理驱动电压: 选择合适的驱动电压以确保MOSFET的最佳性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性: IXTFH32N50-VB与大多数现有的驱动器和保护电路兼容。
    - 技术支持: 台湾VBsemi提供详尽的技术文档和在线支持,帮助客户进行选型和应用开发。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 额定电流不足导致过热。
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,选择适当的外部散热器。

    2. 问题: 电压波动影响性能。
    - 解决方案: 使用稳压电源,确保输入电压稳定。
    3. 问题: 电磁干扰 (EMI) 问题。
    - 解决方案: 使用滤波器和屏蔽线缆减少干扰。

    总结和推荐


    IXFH32N50-VB是一款高性能的N沟道超级结功率MOSFET,具备低栅极电荷、高耐久性和低导通电阻等特点。适用于多种高电压和高频应用场合,如开关电源和高速功率开关。总体来看,该产品在效率、可靠性和应用灵活性方面表现优秀,值得在相关领域中广泛采用。
    综上所述,强烈推荐IXFH32N50-VB作为高性能MOSFET应用于各种高压和高频电路设计中。

IXFH32N50-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 500V
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 50A
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ(mΩ)
最大功率耗散 -
配置 -
FET类型 2个N沟道
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXFH32N50-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXFH32N50-VB数据手册

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IXFH32N50-VB封装设计

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