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HY5012W-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;VDS=100V;ID =320A;RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;该器件适用于高电压和大电流的功率应用场合,广泛应用于各种功率电子设备和电源管理模块中。
供应商型号: HY5012W-VB TO-247A-3L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HY5012W-VB

HY5012W-VB概述

    HY5012W-VB N-Channel 100 V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    HY5012W-VB 是一款由 VBsemi 生产的 N-Channel 100V(漏极-源极)沟槽场效应晶体管(TrenchFET® Power MOSFET)。该产品具备低热阻封装、100% Rg 和 UIS 测试等特点,适用于多种电力电子应用场合。它主要用于电机控制、电源转换、通信设备、汽车电子和工业自动化等领域。

    2. 技术参数


    以下是 HY5012W-VB 的关键技术规格:
    - 漏极-源极电压 (VDS):100 V
    - 栅极-源极阈值电压 (VGS(th)):2.5 V 至 3.5 V
    - 零栅极电压漏极电流 (IDSS):最大 1 µA @ VGS = 0 V, VDS = 100 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V, ID = 20 A: 0.0020 Ω
    - VGS = 10 V, ID = 30 A, TJ = 125 °C: 0.0054 Ω
    - VGS = 10 V, ID = 30 A, TJ = 175 °C: 0.0080 Ω
    - 连续漏极电流 (ID):320 A (TC = 25 °C), 240 A (TC = 125 °C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):1220 A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS):123 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):366 mJ
    - 最大功耗 (PD):650 W (TC = 25 °C), 183 W (TC = 125 °C)
    - 工作结温 (TJ):-55 °C 至 +175 °C

    3. 产品特点和优势


    HY5012W-VB 具有以下显著特点:
    - TrenchFET® 技术:该技术提供了更低的导通电阻和更高的电流处理能力。
    - 低热阻封装:有效提高散热性能,降低热应力,延长使用寿命。
    - 100% Rg 和 UIS 测试:确保产品质量和可靠性。
    - 出色的温度稳定性:能在宽温度范围内保持稳定的性能。
    这些特点使其在高功率密度应用中表现出色,且具有较高的市场竞争力。

    4. 应用案例和使用建议


    HY5012W-VB 在电机控制和电源转换应用中表现尤为出色。例如,在电动汽车的逆变器中,该 MOSFET 可以有效地将直流电转换为交流电,满足高性能需求。使用建议如下:
    - 布局优化:建议在 PCB 设计时优化热管理系统,确保 MOSFET 工作时能够高效散热。
    - 驱动电路设计:合理选择栅极电阻,以确保开关性能稳定。

    5. 兼容性和支持


    HY5012W-VB 与其他标准 TO-247AC 封装的电子元器件兼容。厂商提供技术支持,包括产品手册、技术咨询等。如有需要,用户可联系客服获取更多帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些用户可能遇到的问题及解决方法:
    - 问题: 长时间高电流工作导致发热严重。
    - 解决办法: 使用散热片或水冷系统,优化 PCB 布局,增加散热面积。
    - 问题: 开关损耗大,效率下降。
    - 解决办法: 优化驱动电路设计,适当降低栅极电阻。

    7. 总结和推荐


    HY5012W-VB 以其卓越的性能和可靠性,特别适合于高功率密度的应用场景。无论是电机控制还是电源转换,都能发挥出色的表现。综合其技术参数、特点及适用范围,我们强烈推荐此产品。对于寻求高性能、高可靠性的工程师和设计师来说,HY5012W-VB 是一个理想的选择。
    如有任何疑问或需要技术支持,欢迎随时联系我们的服务热线:400-655-8788。

HY5012W-VB参数

参数
栅极电荷 -
通道数量 1
FET类型 2个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ(mΩ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 320A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
最大功率耗散 -
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247A-3L
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

HY5012W-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HY5012W-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HY5012W-VB HY5012W-VB数据手册

HY5012W-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 12.4583
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