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IPA037N08N3 G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;N沟道;VDS=80V;ID =75A;RDS(ON)=6.4mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=8.7mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;适用于需要高电压、大电流和低导通电阻的应用领域,为不同模块提供了可靠的功率开关解决方案。
供应商型号: IPA037N08N3 G-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPA037N08N3 G-VB

IPA037N08N3 G-VB概述

    IPA037N08N3 G-VB 技术手册解析

    产品简介


    IPA037N08N3 G-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道MOSFET,具有80V(漏-源)的耐压等级。这种器件采用TrenchFET®技术,被广泛应用于各种电源管理电路中,如初级侧开关、同步整流、直流/交流逆变器和LED背光。这款产品是高性能和高可靠性的理想选择。

    技术参数


    - 电压参数
    - 漏-源电压 \( V{DS} \): 80V
    - 最大功率耗散 \( PD \):
    - 70°C时: 40W
    - 25°C时: 62.5W
    - 最大单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 45mJ
    - 最大雪崩电流 \( I{AS} \): 30A
    - 最大连续漏极电流 \( ID \):
    - 70°C时: 2.7A
    - 25°C时: 28.6A
    - 阻抗参数
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - 在10V栅源电压 \( V{GS} \) 下: 0.0064Ω
    - 在6V栅源电压 \( V{GS} \) 下: 0.0070Ω
    - 在4.5V栅源电压 \( V{GS} \) 下: 0.0087Ω
    - 电容参数
    - 输入电容 \( C{iss} \): 1855pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 950pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 76pF
    - 其他参数
    - 热阻 \( R{thJA} \): 20°C/W(最大值)
    - 热阻 \( R{thJC} \): 1.5°C/W(最大值)

    产品特点和优势


    IPA037N08N3 G-VB 主要特点包括:
    - TrenchFET®技术: 提供低导通电阻和高效能。
    - 100% Rg和UIS测试: 确保产品的稳定性和可靠性。
    - 低热阻设计: 增强散热性能,延长使用寿命。
    这些特点使得该产品非常适合在高温环境下长时间工作的应用场合,同时提供了较高的可靠性,使其在市场上具备很强的竞争力。

    应用案例和使用建议


    IPA037N08N3 G-VB 适用于多种电力转换和控制应用,例如:
    - LED背光: 提供高效率和稳定的光源。
    - DC/AC逆变器: 提供低功耗和高效率的能量转换。
    使用建议:
    - 在高温环境中使用时,确保适当的散热措施,以避免因过热导致的性能下降。
    - 使用过程中注意检查电容和热阻,确保电路稳定运行。

    兼容性和支持


    该产品可以与其他标准的MOSFET和电路板兼容。厂商提供详细的技术支持和服务,包括安装指导、故障排除和维修服务。

    常见问题与解决方案


    - Q: 在高电流应用中如何防止过热?
    - A: 使用散热片或其他散热装置,以提高热传递效率。

    - Q: 如何正确焊接以避免损坏?
    - A: 仅使用焊接炉进行焊接,手动焊接不推荐。

    总结和推荐


    IPA037N08N3 G-VB 是一款高性价比且可靠的N沟道MOSFET,具有优秀的导通特性和较低的热阻,适合在多种电源管理和控制应用中使用。鉴于其优异的性能和市场竞争力,强烈推荐用于需要高效率和稳定性的应用场合。

IPA037N08N3 G-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Id-连续漏极电流 75A
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 6.4mΩ(mΩ)
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 80V
栅极电荷 -
FET类型 2个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IPA037N08N3 G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPA037N08N3 G-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPA037N08N3 G-VB IPA037N08N3 G-VB数据手册

IPA037N08N3 G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.4705
100+ ¥ 4.1393
500+ ¥ 3.9737
1000+ ¥ 3.8082
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