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K952-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;VDS=850V;ID =4A;RDS(ON)=2700mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;可以应用于电机控制模块和工业自动化设备中的电源开关和驱动电路,实现高效、稳定的工业生产过程。
供应商型号: K952-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K952-VB

K952-VB概述


    产品简介


    Power MOSFET(功率MOS场效应晶体管)是一种高性能的场效应晶体管,主要应用于高效率的电源转换系统、电机驱动器和其他电力电子应用中。它具有低导通电阻(RDS(on))、快速开关特性和简单的驱动要求等特点,适用于高频率、高功率密度的应用环境。

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | 850 | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | - | ±20 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | 4.1 | - | 2.6 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 16 | A |
    | 最大功耗 | PD | - | - | 125 | W |
    | 最大结温 | TJ | -55 | - | 150 | °C |
    | 热阻抗 | RthJA | - | 62 | - | °C/W |
    | 阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 零栅压漏电流 | IDSS | - | - | 100 | μA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 2.7 | - | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | 1300 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 310 | - | pF |
    | 门极电荷 | Qg | - | - | 78 | nC |
    | 门极-源极电荷 | Qgs | - | - | 9.6 | nC |
    | 门极-漏极电荷 | Qgd | - | - | 45 | nC |

    产品特点和优势


    这款Power MOSFET具备多个独特功能和优势:
    - 动态dv/dt等级:确保了快速且稳定的开关性能。
    - 重复雪崩额定值:具备高可靠性的保护机制。
    - 快速开关:显著降低开关损耗,提高系统效率。
    - 易于并联:允许在需要更高电流时并联多个MOSFET。
    - 简单驱动要求:降低了驱动电路的设计复杂度。
    这些特性使得这款MOSFET在各种高要求的应用中表现出色,尤其适合用于要求高频、高效转换的应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 电源转换器:用于高效的AC-DC转换。
    2. 电机驱动器:提供精准的电流控制和保护。
    3. 电池管理系统:监测和管理电池充电和放电过程中的电流和电压。
    使用建议:
    - 散热设计:由于其较高的功耗,必须注意良好的散热设计以保证长时间稳定运行。
    - 电路布局:尽量减少杂散电感,采用接地平面和低泄漏电感设计,以减少噪声干扰。

    兼容性和支持


    这款Power MOSFET是按照RoHS标准生产的,符合环保要求。此外,制造商提供了详细的安装指南和技术支持,帮助用户更好地集成到其设计中。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    1. 问:温度过高怎么办?
    - 答:检查散热设计,增加散热片或者调整工作条件,如降低负载。

    2. 问:脉冲电流超过限制怎么办?
    - 答:减少脉冲宽度或降低脉冲频率,避免超出最大额定值。

    3. 问:开关速度过慢怎么办?
    - 答:减小栅极电阻或增加栅极驱动器能力,优化驱动电路设计。

    总结和推荐


    总体而言,这款Power MOSFET凭借其高性能、易用性和广泛的适用性,是市场上同类产品中的佼佼者。尽管价格稍高,但其卓越的性能和可靠性使其成为电力电子应用的理想选择。因此,我们强烈推荐使用这款产品。
    希望这篇综述能为您提供有价值的信息,如果您有任何其他问题或需求,欢迎随时联系我们。

K952-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.7Ω(mΩ)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 4A
FET类型 2个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 850V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K952-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K952-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K952-VB K952-VB数据手册

K952-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.8594
100+ ¥ 4.4995
500+ ¥ 4.3194
1000+ ¥ 4.1395
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