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K3712-Z-E1-AZ-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;VDS=250V;ID =17A;RDS(ON)=176mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;适用于中高功率电子设备和模块,包括电源转换器、电动机控制器和高功率LED驱动器等领域。
供应商型号: K3712-Z-E1-AZ-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3712-Z-E1-AZ-VB

K3712-Z-E1-AZ-VB概述

    K3712-Z-E1-AZ N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    K3712-Z-E1-AZ 是一款高性能 N-Channel MOSFET(场效应晶体管),主要用于高压环境下的开关应用。它具备快速开关、动态 dV/dt 评级、重复雪崩额定值等特点。这款 MOSFET 广泛应用于电源管理、电机驱动和通信设备等领域。

    技术参数


    以下是 K3712-Z-E1-AZ 的主要技术参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 250 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 栅漏电荷 | Qg | - | - | 68 | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | - | 11 | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | - | - | 35 | nC |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | - | 0.176 | Ω |
    | 复位雪崩能量 | EAS | - | - | 550 | mJ |
    | 峰值雪崩电流 | IAR | - | - | 17 | A |
    | 重复雪崩能量 | EAR | - | - | 13 | mJ |
    其他关键参数还包括脉冲漏极电流 IDM(最大为 56 A)、最高功率耗散 PD(最大为 125 W)等。详细的热阻率、静态和动态参数可以在技术手册中找到。

    产品特点和优势


    1. 动态 dV/dt 额定值:支持高速信号处理。
    2. 重复雪崩额定值:提高了耐用性和可靠性。
    3. 快速开关:适用于高频电路。
    4. 简单并联要求:便于扩展电路设计。
    5. 简单的驱动要求:易于集成到现有系统中。
    这些特点使得 K3712-Z-E1-AZ 在高压、高频的应用场合中表现出色,具有很高的市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    根据技术手册中的典型特性图,K3712-Z-E1-AZ 在 25 °C 和 150 °C 下表现良好。特别是在高温环境下,其导通电阻随温度的变化较小,保证了稳定的工作性能。
    使用建议:
    - 为确保最佳性能,建议保持栅极电压在 10 V 左右。
    - 使用低杂散电感的电路布局,以减少寄生效应。
    - 配置良好的接地平面可以提高散热效率,延长使用寿命。

    兼容性和支持


    K3712-Z-E1-AZ 支持标准的 TO-252 封装形式,与其他同类产品兼容性好。厂商提供详细的技术文档和支持服务,包括在线技术支持和定期的产品更新通知。

    常见问题与解决方案


    以下是一些用户可能遇到的问题及解决方法:
    1. 问题:开关延迟时间过长。
    解决方法:调整栅极电阻 Rg,选择合适的驱动器来优化开关时间。
    2. 问题:雪崩现象严重。
    解决方法:检查电路设计,确保符合推荐的最大雪崩电流和能量限制。
    3. 问题:工作温度过高。
    解决方法:使用适当的散热措施,如加装散热片或风扇,确保工作环境温度不超过规定的上限。

    总结和推荐


    K3712-Z-E1-AZ N-Channel MOSFET 在性能和可靠性方面表现优异,特别适合需要高压、高频和快速响应的应用场合。结合其良好的热管理和低损耗特性,这款产品是工业控制和电源转换应用的理想选择。综上所述,我们强烈推荐使用 K3712-Z-E1-AZ,尤其是在需要高性能和高可靠性的应用场景中。

K3712-Z-E1-AZ-VB参数

参数
通道数量 1
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 250V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 17A
Rds(On)-漏源导通电阻 176mΩ(mΩ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
FET类型 2个N沟道
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3712-Z-E1-AZ-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3712-Z-E1-AZ-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3712-Z-E1-AZ-VB K3712-Z-E1-AZ-VB数据手册

K3712-Z-E1-AZ-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.4839
2500+ ¥ 2.3759
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