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UTT75P03-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220;P沟道;VDS=-30V;ID =-100A;RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=5mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-3V;可以用作开关电源中的功率开关器件
供应商型号: UTT75P03-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTT75P03-VB

UTT75P03-VB概述

    UTT75P03 P-Channel 30V MOSFET 技术手册

    产品简介


    UTT75P03 是一款P沟道30V MOSFET,适用于多种应用领域。它具备低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力,适合用于开关电源、电池管理系统和其他需要高效电力转换的应用。

    技术参数


    - 电压参数
    - VDS (漏源电压): 30 V
    - VGS (栅源电压): ± 20 V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS): ≤ 1 µA @ VDS = -30 V, VGS = 0 V
    - 最大连续漏极电流 (ID): -100 A @ TC = 25 °C, -80 A @ TC = 125 °C
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 300 A
    - 电气特性
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = -10 V, ID = -30 A: 0.004 Ω
    - VGS = -4.5 V, ID = -20 A: 0.005 Ω
    - 输入电容 (Ciss): 8000 pF
    - 输出电容 (Coss): 1565 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 715 pF
    - 热参数
    - 热阻 (RthJA):
    - TO-220AB封装: 62.5 °C/W
    - TO-263封装: 40 °C/W

    产品特点和优势


    - 低导通电阻: UTT75P03 的RDS(on) 在各种温度和电压条件下都保持较低,确保了高效的电力转换。
    - 高可靠性: 符合RoHS标准,符合环保要求,有助于延长产品的使用寿命。
    - 宽工作温度范围: 工作温度范围从-55°C到175°C,适用于各种极端环境条件。
    - 抗浪涌电流能力强: 能承受高达80 A的浪涌电流,增强设备的稳定性。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例: UTT75P03 常用于直流电机驱动、负载开关和电池管理系统的保护电路。在电池管理系统中,它可以作为过压保护和反接保护的开关器件。
    - 使用建议: 为了充分发挥其性能,建议使用合适的散热器来辅助散热。同时,在设计电路时要注意确保栅极驱动信号的强度足够,以避免误触发。

    兼容性和支持


    - 兼容性: UTT75P03 与多种其他电子元器件兼容,适用于多种电路设计。厂商提供了详尽的技术支持和售后保障。
    - 支持信息: 厂商提供详细的文档和技术支持服务,包括产品手册、技术咨询和故障排查指南。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 如何确定是否安装正确?
    - 解决方案: 检查连接方向是否正确,确保源极 (S) 接地,漏极 (D) 连接到负载。
    - 问题: 导通电阻RDS(on)过高怎么办?
    - 解决方案: 检查栅极驱动电压是否达到阈值,若不够则需增加驱动电压;同时检查环境温度是否影响性能,必要时使用散热器。
    - 问题: 如何避免过热损坏?
    - 解决方案: 使用合适的散热器并确保良好的空气流通,定期监测器件温度。

    总结和推荐


    UTT75P03 是一款高性能的P沟道30V MOSFET,具有低导通电阻、高可靠性和广泛的温度适用范围。它适用于各种需要高效电力转换的应用场景。强烈推荐在需要严格温度管理和高效功率转换的项目中使用。
    联系我们了解更多产品详情和技术支持:400-655-8788
    [www.VBsemi.com]

UTT75P03-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 2个P沟道
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 100A
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ(mΩ)
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UTT75P03-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTT75P03-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTT75P03-VB UTT75P03-VB数据手册

UTT75P03-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
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