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K22N50L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,500V,50A,RDS(ON),90mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V)封装:TO247 凭借其高电压和高电流处理能力以及较低的导通电阻,适用于各种需要高效、高电压和高功率的应用,为电源管理、电机驱动和开关应用
供应商型号: K22N50L-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K22N50L-VB

K22N50L-VB概述

    K22N50L-VB N-Channel 500V Super Junction Power MOSFET

    产品简介


    K22N50L-VB是一款由VBsemi公司生产的N沟道500V超级结功率MOSFET。这类MOSFET主要用于开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和高速功率开关等应用场景。由于其低栅极电荷(Qg)和改进的坚固性,K22N50L-VB成为高频率电路和硬开关应用的理想选择。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 (VDS) | 500 | V |
    | 栅源电压 (VGS) | ± 30 | V |
    | 连续漏极电流 (ID) | 40 | A |
    | 脉冲漏极电流 (IDM) | 180 | A |
    | 最大结温 (TJ) | 150 | °C |
    | 结到外壳热阻 (RthJC)| 0.23 | °C/W |
    | 输出电容 (Coss) | 960 | pF |
    | 有效输出电容 (Coss eff.) | 440 | pF |
    | 零栅极电压漏极电流 (IDSS) | 250 | μA |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 0.080 | Ω |
    | 总栅极电荷 (Qg) | 350 | nC |
    | 栅源电荷 (Qgs) | 85 | nC |
    | 栅漏电荷 (Qgd) | 180 | nC |

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷:有助于简化驱动要求,降低功耗。
    - 高可靠性:具备改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐久性。
    - 全参数化测试:完全表征了电容、雪崩电压和电流。
    - 低导通电阻 (RDS(on)):具有非常低的导通电阻,提升效率。
    - RoHS合规:符合欧盟RoHS指令要求,适合环保需求。

    应用案例和使用建议


    K22N50L-VB主要应用于以下领域:
    - 开关模式电源(SMPS):利用其高效率和快速响应特性来提高电源系统的整体性能。
    - 不间断电源(UPS):用于提供稳定可靠的电力供应,尤其是在数据中心和关键设备中。
    - 高速功率开关:由于其快速的开关特性和低导通电阻,适用于需要高速切换的应用场合。
    使用建议:
    - 散热管理:鉴于其高热阻,需确保良好的散热措施,以防止过热导致性能下降。
    - 驱动电路设计:适当的设计驱动电路可以进一步降低功耗,提升系统的整体效率。

    兼容性和支持


    - 兼容性:K22N50L-VB与市面上常见的驱动器兼容,可轻松集成到现有的系统中。
    - 技术支持:VBsemi提供详尽的技术文档和支持,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 高温运行导致性能下降 | 确保适当的散热措施,并检查热管理系统是否正常运作。|
    | 开关损耗过高 | 优化驱动电路,降低开关频率,并考虑使用更低RDS(on)的产品。|
    | 故障率高 | 检查系统中的负载条件是否符合产品规格,并确认热管理措施是否到位。|

    总结和推荐


    K22N50L-VB凭借其高效的电学特性、低导通电阻和高可靠性,使其在众多应用中表现出色。特别是在开关模式电源、不间断电源及高速功率开关应用中展现出显著优势。VBsemi提供的详尽技术文档和技术支持使该产品的应用变得更加简单和可靠。总体而言,我们强烈推荐使用K22N50L-VB作为高性能功率MOSFET的选择。

K22N50L-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ(mΩ)
FET类型 2个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 50A
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 500V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K22N50L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K22N50L-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K22N50L-VB K22N50L-VB数据手册

K22N50L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 12.5579
100+ ¥ 11.6277
500+ ¥ 10.6975
900+ ¥ 10.2324
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型号 价格(含增值税)
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