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KIA5610-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。SOT89;N沟道;VDS=100V;ID =4.2A;RDS(ON)=102mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=125mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=1.8V;适用于低功耗电子设备、医疗器械、LED照明控制、智能家居等多种领域和模块,可为各种电子设备提供稳定、高效的功率控制和驱动功能。
供应商型号: KIA5610-VB SOT89
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KIA5610-VB

KIA5610-VB概述

    KIA5610 N-Channel 100V MOSFET 技术手册

    产品简介


    KIA5610 是一款高性能的N-Channel 100V(漏极到源极)MOSFET,采用先进的TrenchFET®技术。这款MOSFET在多种应用中表现出色,特别是在直流/直流转换器、升压转换器、LCD电视背光系统以及移动计算电源管理等领域。它以其高可靠性、低导通电阻和高速开关性能而闻名。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDS):100 V
    - 栅源电压(VGS):±20 V
    - 持续漏极电流(TJ = 150 °C)
    - TC = 25 °C:4.2 A
    - TC = 70 °C:3.5 A
    - 脉冲漏极电流(t = 300 µs):15 A
    - 单脉冲雪崩电流:3 A
    - 单脉冲雪崩能量:0.45 mJ
    - 最大功率耗散(TC = 25 °C):2.5 W
    - 工作结温范围:-55 °C 至 150 °C
    - 热阻率
    - 最大结-环境热阻(TC = 25 °C):≤75 °C/W
    - 最大结-管脚(漏极)稳态热阻:40 °C/W

    产品特点和优势


    KIA5610 的主要优势包括:
    - 高可靠性:通过100% Rg和UIS测试确保性能稳定。
    - 低导通电阻:在不同栅源电压下表现出色,如VGS = 10 V时,RDS(on) = 0.102 Ω。
    - 快速开关特性:如td(on) = 40 ns(VGEN = 4.5 V),tr = 68 ns。
    - 高抗浪涌能力:单脉冲雪崩电流为3 A,适用于高瞬态电压环境。

    应用案例和使用建议


    - DC/DC转换器和升压转换器:用于各种电源管理系统,如移动设备充电器。
    - LCD电视背光系统:作为高效的开关组件。
    - 移动计算电源管理:例如笔记本电脑电源适配器。
    使用建议:
    - 在选择MOSFET时,要考虑到散热设计,尤其是在高负载情况下。
    - 确保驱动电路具有合适的栅极电阻(如Rg = 1 Ω),以避免过高的开关损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:KIA5610 尺寸为SOT89封装,易于安装于大多数PCB板上。
    - 支持:台湾VBsemi提供详细的用户指南和技术支持服务,确保用户能够充分利用该产品的优势。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何处理MOSFET过热问题?
    - 答:增加散热片或使用更大的PCB面积来改善热传导。

    2. 问:如何正确选择栅极电阻?
    - 答:根据具体应用需求和驱动条件选择合适的栅极电阻值,通常建议使用1-10 Ω之间的值。

    总结和推荐


    KIA5610 N-Channel 100V MOSFET 是一款可靠且高效的产品,特别适合需要低导通电阻和高开关速度的应用。它具备优异的性能和耐用性,在电源管理领域有着广泛的应用前景。强烈推荐在上述应用领域使用此产品。

KIA5610-VB参数

参数
配置 -
通道数量 1
Id-连续漏极电流 4.2A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 102mΩ(mΩ)
Vds-漏源极击穿电压 100V
长*宽*高 4.2mm*4.6mm*1.6mm
通用封装 SOT-89
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

KIA5610-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KIA5610-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KIA5610-VB KIA5610-VB数据手册

KIA5610-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
35+ ¥ 0.8746
100+ ¥ 0.8098
500+ ¥ 0.7773
1000+ ¥ 0.745
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