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J254-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;P沟道;VDS=-30V;ID =-55A;RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=13mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-2.5V;适用于电源管理、电动车辆控制、电焊设备和家用电器等领域,能够提供稳定的功率输出和高效的能量转换。
供应商型号: J254-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J254-VB

J254-VB概述

    J254-VB P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    J254-VB 是一款P沟道(P-channel)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),适用于电压高达30伏特(V)的应用。该器件的主要功能是通过控制栅极电压来调节漏极电流,从而实现开关和放大作用。J254-VB 广泛应用于多种电路中,如电源管理、电机驱动和电池充电等领域。

    技术参数


    以下是J254-VB 的主要技术规格:
    - 电压规格:
    - 最大漏源电压(VDS):30 V
    - 最大栅源电压(VGS):± 20 V
    - 最大连续漏极电流(ID):- 45 A(TC = 125 °C)
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):- 260 A
    - 最大重复雪崩能量(EAR):190 mJ
    - 功率耗散(PD):45 W(TC = 25 °C)
    - 热阻:
    - 结到空气热阻(RthJA):62.5 °C/W(自由空气)
    - 结到外壳热阻(RthJC):0.8 °C/W
    - 静态特性:
    - 漏源击穿电压(VDS):- 30 V
    - 栅体泄漏电流(IGSS):± 100 nA
    - 零栅电压漏极电流(IDSS):- 50 µA(TJ = 125 °C)
    - 开态漏极电流(ID(on)):- 120 A(VDS = - 5 V, VGS = - 10 V)
    - 动态特性:
    - 输入电容(Ciss):4500 pF
    - 输出电容(Coss):765 pF
    - 反向传输电容(Crss):315 pF
    - 总栅极电荷(Qg):80 - 120 nC
    - 栅源电荷(Qgs):20 nC
    - 栅漏电荷(Qgd):15 nC
    - 开关特性:
    - 开启延迟时间(td(on)):25 - 40 ns
    - 上升时间(tr):225 - 360 ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):150 - 240 ns
    - 下降时间(tf):210 - 340 ns

    产品特点和优势


    - 高可靠性: 符合RoHS指令2002/95/EC,无铅端子。
    - 低导通电阻: 在VGS = - 10 V时,导通电阻(RDS(on))仅为0.015 Ω。
    - 良好的热稳定性: 热阻较低,适合在高功率应用中使用。
    - 优异的开关性能: 快速的开关时间和较小的损耗,适合高频应用。

    应用案例和使用建议


    J254-VB 可广泛应用于各类直流电源转换、电池充电和电机控制等电路。例如,在一个简单的直流电机控制电路中,可以利用J254-VB来控制电机的启停和转速。具体建议如下:
    - 确保散热良好: 在高功率应用中,适当增加散热片以提高散热效果,避免因过热导致器件损坏。
    - 合理选择栅极电阻: 栅极电阻的选择对开关速度和功耗有很大影响,建议根据具体应用需求进行优化。
    - 保护电路设计: 在高压和高电流环境下,添加保护电路如瞬态抑制二极管(TVS)以防止器件因过压而损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性: J254-VB 采用标准的TO-220封装,易于与其他标准电子元器件配合使用。
    - 技术支持: 台湾VBsemi公司提供全面的技术支持,包括详细的用户手册、应用指南和技术咨询服务。

    常见问题与解决方案


    - Q: 设备无法正常工作
    - A: 检查电源电压和连接是否正确,确认是否有短路或断路。
    - Q: 设备发热严重
    - A: 检查散热是否足够,如有必要可增加散热片并优化散热路径。
    - Q: 设备损坏
    - A: 确认使用过程中是否有超出绝对最大额定值的情况,如电压过高或电流过大。

    总结和推荐


    综上所述,J254-VB P-Channel MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元器件,适用于多种电源管理和控制应用。其优异的开关性能和较低的导通电阻使其成为众多应用的理想选择。建议在需要高效率、高稳定性的场合使用。
    该产品技术手册详细介绍了J254-VB P-Channel MOSFET的主要规格和性能,希望能帮助您更好地了解和应用这款出色的电子元器件。

J254-VB参数

参数
通道数量 1
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 55A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ(mΩ)
FET类型 2个P沟道
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

J254-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J254-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J254-VB J254-VB数据手册

J254-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.5269
100+ ¥ 2.3398
500+ ¥ 2.2462
1000+ ¥ 2.1526
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