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K3534-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;N沟道;VDS=900V;ID =5A;RDS(ON)=1500mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;在太阳能逆变器中,可用于功率开关模块,实现太阳能电池板的高效能转换和电网连接。
供应商型号: K3534-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3534-01MR-VB

K3534-01MR-VB概述

    文章标题:K3534-01MR-VB N-Channel 900V Super Junction Power MOSFET 技术详解

    1. 产品简介


    K3534-01MR-VB 是一款高性能的 N 沟道 900V 超级结(Super Junction)功率 MOSFET,专为高效率电源转换应用设计。它通过先进的超级结技术实现了低导通电阻和高速开关性能,同时具有优异的动态 dv/dt 特性,适合高频应用。产品广泛应用于服务器、通信电源、新能源汽车逆变器等领域,是高效能开关电路的理想选择。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | 900 | - | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 1.2 | - | Ω |
    | 集电极连续电流 | ID | - | 3.9 | - | A |
    | 峰值脉冲电流 | IDM | - | 21 | - | A |
    | 功耗 | PD | - | 190 | - | W |
    | 热阻抗 | RthJA | - | 40 | - | °C/W |
    | 开关频率限制 | dV/dt | - | 2.0 | - | V/ns |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | 150 | - | °C |

    3. 产品特点和优势


    - 高性能开关特性:动态 dv/dt 评级及快速开关性能,适合高频应用。
    - 高可靠性:重复性雪崩额定值,具备卓越的抗冲击能力。
    - 易用性:隔离中央安装孔,便于安装且简化驱动要求。
    - 环保合规:符合 RoHS 和无卤素标准,满足绿色制造需求。
    - 卓越热管理:低热阻抗设计确保良好的散热性能。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用场景:
    - 数据中心电源系统
    - 通信基站的开关电源模块
    - 新能源汽车逆变器和车载充电器
    使用建议:
    1. 在高频率开关应用中,确保电路设计充分考虑寄生参数,如布局优化以降低电感效应。
    2. 针对高频驱动条件,合理选择栅极驱动电阻(Rg),避免过度振荡。
    3. 高温环境下,注意外部散热措施以维持稳定性能。

    5. 兼容性和支持


    K3534-01MR-VB 具有良好的通用性,可与其他主流高压 MOSFET 兼容,适用于多种封装平台。VBsemi 提供全面的技术支持,包括样品申请、应用指导和技术培训。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中发热严重 | 检查散热设计是否符合要求 |
    | 器件失效 | 检查输入电压是否超出额定值 |
    | 开关波形异常 | 重新校准驱动电阻及 PCB 布局 |

    7. 总结和推荐


    K3534-01MR-VB N-Channel 900V Super Junction Power MOSFET 以其优异的开关特性和高效的散热性能,成为高频高效电力电子领域的理想选择。对于需要高效率和紧凑设计的应用场合,该产品无疑是首选。强烈推荐此款 MOSFET 用于高性能电源设计项目。
    联系服务热线 400-655-8788 或访问官网 www.VBsemi.com 获取更多详细资料。

    以上内容根据 K3534-01MR-VB 的技术手册整理生成,如有进一步问题,请随时咨询。

K3534-01MR-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5Ω(mΩ)
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 900V
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 5A
FET类型 2个N沟道
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3534-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3534-01MR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3534-01MR-VB K3534-01MR-VB数据手册

K3534-01MR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
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