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K1024-01-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。在太阳能逆变器和风力发电控制系统中,该型号的MOSFET可用于电源转换和电能调节,提高新能源系统的效率和稳定性。 TO220;N沟道,900V;5A;RDS(ON)=1500mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: K1024-01-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1024-01-VB

K1024-01-VB概述

    K1024-01-VB 产品技术手册

    产品简介


    K1024-01-VB 是一款 N-Channel Super Junction 功率 MOSFET,适用于需要高电压和高性能的应用场景。其关键特性包括高速开关能力、易于并联操作及简单的驱动需求。主要功能为在高压环境下实现高效能量转换和管理。典型应用领域包括电源转换、电机驱动和各种工业控制设备。

    技术参数


    - 最大漏源电压(VDS): 900V
    - 导通电阻(RDS(on)): VGS = 10 V 时,1.3Ω
    - 栅源电荷(Qg): 200 nC
    - 栅源电容(Ciss): 3100 pF
    - 总门极电荷(Qg): 200 nC
    - 栅源电荷(Qgs): 24 nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd): 110 nC
    - 峰值二极管恢复电压(dV/dt): 2.0 V/ns
    - 重复雪崩电流(IAR): 7.8 A
    - 重复雪崩能量(EAR): 19 mJ
    - 最高功耗(PD): 190 W
    - 最高结温(TJ): -55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    - 动态dv/dt等级:适合高速应用。
    - 重复雪崩额定值:确保长期可靠性。
    - 隔离中心安装孔:便于安装且散热良好。
    - 快速开关:提高效率并减少损耗。
    - 易于并联:可方便实现多管并联以满足大电流需求。
    - 简单的驱动要求:简化电路设计,降低成本。
    - 符合RoHS标准:环保材料确保产品可持续发展。

    应用案例和使用建议


    - 电源转换:在大功率变换器中使用,可以实现高效的能量转换。
    - 电机驱动:特别适用于电机驱动系统,提供良好的控制精度和效率。
    - 工业控制:在各种工业控制系统中作为核心组件,提高系统的可靠性和稳定性。
    使用建议:
    - 为了确保最佳性能,建议使用具有低寄生电感的电路布局,减少杂散效应。
    - 配置适当的散热片,以避免因过热导致的损坏。
    - 在设计驱动电路时,注意选择合适的门极电阻和电容,以实现稳定的开关操作。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于多种工业控制设备和其他高压应用场合。
    - 支持:制造商提供详细的技术支持和售后服务,确保客户能够充分利用产品特性。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:高工作温度下的性能下降。
    - 解决方案:采用良好的散热措施,如安装散热片,以降低工作温度。
    - 问题2:高速开关引起的电磁干扰。
    - 解决方案:优化电路布局,减少寄生电感,使用屏蔽线材和滤波器。
    - 问题3:二极管恢复时间长导致的能量损失。
    - 解决方案:选用低损耗的二极管,优化驱动电路设计以缩短恢复时间。

    总结和推荐


    K1024-01-VB MOSFET凭借其出色的性能和广泛的应用范围,是一款非常值得推荐的产品。它在高压应用中表现出色,不仅在效率上有所提升,还能显著延长设备的使用寿命。对于需要高可靠性和高性能的工业控制系统来说,这是一个理想的选择。强烈推荐在电源转换、电机驱动和其他高压应用场合中使用此产品。

K1024-01-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 2个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5Ω(mΩ)
配置 -
通道数量 1
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 900V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 5A
栅极电荷 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1024-01-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1024-01-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1024-01-VB K1024-01-VB数据手册

K1024-01-VB封装设计

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