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D11S60-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;VDS=650V;ID =11A;RDS(ON)=370mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于太阳能逆变器、UPS逆变器等高压电源转换应用,提供稳定的功率转换和可靠的性能。
供应商型号: D11S60-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) D11S60-VB

D11S60-VB概述


    产品简介


    本产品是一款N沟道超级结功率MOSFET(D-S),主要应用于高电压环境。它具有极低的导通电阻(Ron)和栅极电荷(Qg),特别适用于服务器和电信电源供应系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明和工业应用中的高电流控制。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压 650 V |
    | 栅源阈值电压 | 2 4 | V |
    | 栅源泄漏电流 ±100 | nA |
    | 零栅压漏电流 1 | μA |
    | 导通电阻 0.42 Ω |
    | 输入电容 680 pF |
    | 输出电容
    | 反向转移电容
    | 总栅极电荷 38 | 56 | nC |
    | 栅源电荷 4 nC |
    | 栅漏电荷
    | 开启延迟时间 13 | 25 | ns |
    | 上升时间 11 | 35 | ns |
    | 关断延迟时间 81 | 90 | ns |
    | 下降时间 25 | 40 | ns |

    产品特点和优势


    - 低FOM(Ron x Qg):该产品具有非常低的FOM值,意味着在相同的电阻下,电荷更少,使得功率损耗更低。
    - 低输入电容(Ciss):低输入电容减少了开关过程中的能量损失。
    - 降低的开关和导通损耗:通过优化设计,大大降低了损耗。
    - 超低栅极电荷(Qg):提高了系统的整体效率。
    - 重复脉冲雪崩能量额定值(UIS):具备出色的耐热和抗浪涌能力。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:用于高效稳定的大功率电源转换。
    - 开关模式电源:适用于需要快速切换的场合。
    - 功率因数校正:用于提高系统的能源效率。
    - 照明:特别是在高亮度照明和荧光灯球的应用中。
    - 工业:适合于需要大电流控制的工业设备。
    使用建议:建议在设计时充分考虑散热设计,以确保器件在高温环境下的稳定运行。同时,在选择驱动电路时,要根据产品的开关速度和栅极电荷合理配置驱动电阻(Rg)。

    兼容性和支持


    该产品采用标准封装,如TO-220、TO-252等,与市面上大多数电路板兼容。供应商提供详尽的技术支持和售后服务,确保用户在使用过程中能够获得及时的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件在高压应用中出现过热现象。
    解决方案:增加散热片或改善散热设计,确保器件在安全温度范围内工作。
    2. 问题:输出电流不稳定。
    解决方案:检查驱动电路的供电电压是否稳定,并且确认负载条件符合设计要求。
    3. 问题:产品工作时噪声过大。
    解决方案:优化PCB布局,减少寄生电感的影响,并且确保良好的接地。

    总结和推荐


    综上所述,这款N沟道650V超级结功率MOSFET凭借其出色的性能指标和广泛的应用领域,非常适合用于需要高效率和大电流处理的场合。它的低FOM值、低栅极电荷和高可靠性使其在市场上具有很强的竞争力。我们强烈推荐此产品用于多种高功率电子设备中,以提升整体系统性能和稳定性。

D11S60-VB参数

参数
栅极电荷 -
FET类型 2个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 370mΩ(mΩ)
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 11A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

D11S60-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

D11S60-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 D11S60-VB D11S60-VB数据手册

D11S60-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.8594
100+ ¥ 4.4995
500+ ¥ 4.1395
2500+ ¥ 3.9595
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型号 价格(含增值税)
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