处理中...

首页  >  产品百科  >  VBM2251K

VBM2251K

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220;P沟道;VDS=-250V;ID =-7A;RDS(ON)=1000mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=1200mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=-2V;适用于各种需要控制功率和电流的领域和模块,如电源、电机驱动、照明和电动车充电器等,为这些应用提供稳定可靠的性能和高效的功率控制。
供应商型号: VBM2251K TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBM2251K

VBM2251K概述


    产品简介


    VBM2251K Power MOSFET 是一款高性能的P沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel MOSFET),适用于各种电力转换和控制应用。这款MOSFET采用先进的工艺技术制造,具有动态dV/dt额定值、耐高温能力、快速开关特性和完全雪崩额定值等特点。它的设计目标是提供高可靠性和高效的电力转换解决方案。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | -250 | V |
    | 漏极连续电流 | ID | -6.0 | - | - | A |
    | 漏极脉冲电流 | IDM | - | - | -16 | A |
    | 电阻率 | RDS(on) | - | -1.0 | - | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | -680 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | -170 | - | pF |
    | 转移电容 | Crss | - | -40 | - | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | -38 | - | nC |
    | 开通延迟时间 | td(on) | - | 12 | - | ns |
    | 上升时间 | tr | - | 23 | - | ns |

    产品特点和优势


    1. 先进工艺技术:VBM2251K采用了先进的工艺技术,保证了其高效能和可靠性。
    2. 动态dV/dt额定值:能够应对高瞬态电压变化,提高了系统稳定性。
    3. 耐高温能力:能够在高达150°C的环境下正常工作,增强了其适应恶劣环境的能力。
    4. 快速开关:具备高速开关特性,减少了能量损失,提高整体效率。
    5. 完全雪崩额定值:可以在极端条件下保持稳定,增加了其应用范围。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    VBM2251K MOSFET适用于多种电力转换和控制场合,如电池管理系统、电机驱动和工业电源转换等。例如,在电池管理系统中,它可以有效地管理电池充放电过程,确保系统的稳定性和安全性。
    使用建议
    - 在设计电路时,考虑MOSFET的工作温度和散热问题,以避免过热导致的性能下降或损坏。
    - 避免在高于最大额定值的电压下长时间运行,以延长器件寿命。
    - 合理选择驱动电路参数,以实现快速可靠的开关操作。

    兼容性和支持


    VBM2251K MOSFET与大多数标准电路板组件兼容,可用于多种类型的电源系统。制造商提供了详尽的技术支持和维护文档,客户可以通过官方网站获取更多帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问:MOSFET在高温下工作会出现什么问题?
    答:MOSFET在超过最高额定温度工作时,可能会出现性能下降甚至损坏。建议在高温环境下使用时增加散热措施,确保其在安全范围内工作。
    2. 问:如何避免MOSFET过早损坏?
    答:合理选择工作参数和驱动电路,避免在极限条件下长期工作。同时,确保电路的良好接地和屏蔽,减少外部干扰。

    总结和推荐


    VBM2251K Power MOSFET 以其出色的性能、高可靠性及广泛的应用范围,成为电力转换和控制领域的理想选择。无论是用于电池管理系统还是工业电源转换,其卓越的特性都使得它成为市场上的热门产品。综上所述,我们强烈推荐这款产品用于需要高效率和高可靠性的电力应用场合。

VBM2251K参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 1
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 2个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Vds-漏源极击穿电压 250V
Rds(On)-漏源导通电阻 1Ω(mΩ)
Id-连续漏极电流 7A
栅极电荷 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBM2251K厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBM2251K数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBM2251K VBM2251K数据手册

VBM2251K封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 38.87
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0