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82N04UG-VB TO262

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO262;N沟道;VDS=40V;ID =100A;RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=2.5V;具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率应用的要求,是一款适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。
供应商型号: 82N04UG-VB TO262 TO262
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 82N04UG-VB TO262

82N04UG-VB TO262概述


    产品简介


    82N04UG-VB 是一款 N-Channel 40V 的 MOSFET 器件,采用 TO262 封装形式。此款 MOSFET 使用 TrenchFET® 技术,具有出色的功率处理能力,并能够在高达 175°C 的温度下稳定工作。82N04UG-VB 主要应用于开关电源、电机驱动、汽车电子和通用电源管理等领域,是众多电子产品中不可或缺的电子元器件之一。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 | - | 40 | - | V |
    | 栅源电压 | -20 | - | 20 | V |
    | 漏极连续电流 | - | 110 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | - | 300 | - | A |
    | 重复雪崩电流 | - | 50 | - | A |
    | 雪崩能量 | - | 125 | - | mJ |
    | 最大功耗 | - | 150 | - | W |
    | 工作温度范围 | -55 | - | 175 | °C |

    产品特点和优势


    - 高可靠性:TrenchFET® 技术提供了更高的效率和更低的导通电阻。
    - 宽温度范围:可在 -55°C 到 175°C 的极端温度下正常工作,保证了在各种恶劣环境下的稳定性。
    - 高阈值电压:在高温条件下仍能保持高阈值电压,适合于需要严格控制栅极特性的应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    82N04UG-VB 可以广泛应用于各类开关电源设计中,如直流-直流转换器、充电器等。在这些应用场景中,它能够提供高效的功率管理和稳定的电压输出。
    使用建议
    1. 热管理:由于该器件在高功率工作时会产生大量热量,建议在使用过程中配合散热片或者 PCB 设计来提高散热效果。
    2. 工作条件:根据数据手册,工作环境温度应限制在 -55°C 到 175°C 之间,确保不会超出器件的工作极限。
    3. 输入电压:最大漏源电压为 40V,因此在选择电源或负载时需注意不要超过此电压,避免损坏器件。

    兼容性和支持


    82N04UG-VB 与大多数标准 PCB 材料(如 FR-4)兼容,适用于主流的电路板设计。此外,台湾 VBsemi 公司为该产品提供了全面的技术支持,包括详细的安装指南和在线技术支持,以帮助用户快速有效地解决问题。

    常见问题与解决方案


    1. 如何确定最佳工作条件?
    - 解决方案:参考数据手册中的“典型特性”图表,根据不同的温度和电压条件选择合适的器件工作点。
    2. 热管理不当导致过热怎么办?
    - 解决方案:增加散热片或改进 PCB 散热设计,降低工作温度以延长使用寿命。
    3. 如何防止过电流烧毁器件?
    - 解决方案:合理选择电路保护装置,如熔断器或限流电阻,确保工作电流不超过器件的额定值。

    总结和推荐


    总体而言,82N04UG-VB 是一款高性能、高可靠性的 N-Channel MOSFET,特别适合用于高温和恶劣环境下的应用。其高阈值电压和卓越的热稳定性使其在各种电力转换和控制应用中表现出色。强烈推荐此款 MOSFET 给需要高性能电子元件的设计工程师们。
    请注意,具体应用前还需详细阅读数据手册并验证其适用性。如有任何疑问,可联系制造商获取更多支持和技术咨询。

82N04UG-VB TO262参数

参数
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 40V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ(mΩ)
Id-连续漏极电流 100A
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 2个N沟道
长*宽*高 3.2mm*3.2mm*800μm
通用封装 TO-262
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

82N04UG-VB TO262厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

82N04UG-VB TO262数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 82N04UG-VB TO262 82N04UG-VB TO262数据手册

82N04UG-VB TO262封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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