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IXTP1N80-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;VDS=850V;ID =4A;RDS(ON)=2700mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;可以应用于电机控制模块和工业自动化设备中的电源开关和驱动电路,实现高效、稳定的工业生产过程。
供应商型号: IXTP1N80-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXTP1N80-VB

IXTP1N80-VB概述

    IXTP1N80-VB 电子元器件技术手册

    1. 产品简介


    IXTP1N80-VB 是一款 N-通道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电力转换和控制的应用领域。它在高压开关电源、电机驱动、焊接设备以及各种工业控制领域有着广泛的应用。这款 MOSFET 采用 TO-220AB 封装,具有优异的开关性能和可靠性。

    2. 技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):850V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏电流 (ID):4.1A (TC = 25°C), 2.6A (TC = 100°C)
    - 脉冲漏电流 (IDM):16A
    - 最大功率耗散 (PD):125W (TC = 25°C)
    - 反向恢复栅压 (dV/dt):2.0V/ns
    - 静态导通电阻 (RDS(on)):2.7Ω (VGS = 10V)
    - 总门极电荷 (Qg):78nC
    - 门极-源极电荷 (Qgs):9.6nC
    - 门极-漏极电荷 (Qgd):45nC

    3. 产品特点和优势


    IXTP1N80-VB 具备以下特点和优势:
    - 无卤素设计:符合 IEC 61249-2-21 标准。
    - 高动态 dv/dt 评级:可承受高的瞬态电压变化。
    - 重复雪崩额定值:可承受多次雪崩能量。
    - 快速开关:非常适合高频应用。
    - 易于并联:方便多管并联使用。
    - 简单的驱动要求:对驱动电路的要求较低。
    - 符合 RoHS 指令:满足环保标准。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:IXTP1N80-VB 在电力转换系统中被广泛使用,例如开关电源、逆变器、电机驱动等领域。在这些应用中,其高速开关能力和低导通电阻可以显著提高系统的效率。
    使用建议:
    - 确保驱动电路能够提供足够的门极电荷 (Qg) 和合适的栅极电压 (VGS)。
    - 注意散热设计,尤其是在高电流和高温环境下工作时。
    - 在选择并联使用时,确保各管间的均流设计以避免局部过热。

    5. 兼容性和支持


    IXTP1N80-VB 与标准的 TO-220AB 封装兼容,可以方便地与市面上常见的电源模块和其他电子设备配合使用。厂商提供了详尽的技术支持和售后服务,包括技术咨询、故障诊断和维修服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确保 IXTP1N80-VB 的长期稳定性?
    解决方案:选择合适的散热方案,并定期监测器件的工作温度。

    - 问题2:如何防止 IXTP1N80-VB 在开关过程中出现过电压?
    解决方案:使用适当的栅极电阻 (Rg) 并合理布局电路以减少寄生电感。

    - 问题3:如何优化 IXTP1N80-VB 的驱动电路?
    解决方案:确保门极驱动电流充足且门极电压稳定,避免在开关过程中出现振荡现象。

    7. 总结和推荐


    综上所述,IXTP1N80-VB 是一款高性能的 N-通道功率 MOSFET,具备高可靠性和良好的应用表现。其快速开关特性、低导通电阻和易于并联的特点使其在多种电力转换和控制应用中表现出色。强烈推荐用于需要高效、稳定和可靠电力转换的场合。

IXTP1N80-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.7Ω(mΩ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
FET类型 2个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 850V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 4A
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXTP1N80-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXTP1N80-VB数据手册

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IXTP1N80-VB封装设计

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