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K1021-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;VDS=850V;ID =4A;RDS(ON)=2700mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;可以应用于电机控制模块和工业自动化设备中的电源开关和驱动电路,实现高效、稳定的工业生产过程。
供应商型号: K1021-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1021-VB

K1021-VB概述

    K1021-VB Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    K1021-VB 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有高可靠性、快速开关速度和低导通电阻等特点。它广泛应用于电源管理、电机驱动、照明系统和可再生能源等领域,特别适合于需要高频切换和高能效的应用场合。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):850 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):10 V 下为 2.7 Ω
    - 栅极电荷 (Qg):最大 78 nC
    - 输入电容 (Ciss):1300 pF
    - 输出电容 (Coss):310 pF
    - 反向传输电容 (Crss):190 pF
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):16 A
    - 最大重复雪崩能量 (EAR):13 mJ
    - 最大结温 (TJ):150 °C
    - 最小热阻 (RthJA):62 °C/W
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS):260 mJ
    - 关断延迟时间 (td(off)):82 ns
    - 反向恢复时间 (trr):480 ns 至 720 ns

    产品特点和优势


    K1021-VB 的主要特点包括:
    - 无卤素设计:符合 IEC 61249-2-21 标准
    - 快速开关:适合高频应用
    - 易于并联:简化驱动要求
    - 重复雪崩评级:提供更高的可靠性和安全性
    - 兼容 RoHS:符合欧盟指令 2002/95/EC
    - 动态 dV/dt 额定值:确保稳定的开关性能
    这些特点使其在多种应用中表现出色,如电力转换、电池充电器和太阳能逆变器等。

    应用案例和使用建议


    根据技术手册中的描述,K1021-VB 可以用于高功率 LED 照明、DC-DC 转换器和电动机驱动系统。在使用过程中,应注意以下几点:
    - 散热设计:由于其较高的功率耗散能力(最大 125 W),建议采用良好的散热措施,如使用散热片或风扇。
    - 电路布局:尽量减少寄生电感,使用接地平面,以提高系统的稳定性和效率。
    - 驱动信号:建议使用与 DUT 相同类型的驱动器,以保证驱动信号的一致性和可靠性。

    兼容性和支持


    K1021-VB 与大多数常见的 N 沟道 MOSFET 驱动器兼容。制造商提供详细的技术支持和应用指南,确保客户能够充分利用其性能优势。此外,该公司还提供了详细的故障排查和支持文档,帮助用户解决可能出现的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:导通电阻偏高
    - 解决方案:检查电路布局,确保没有过多的寄生电感,且驱动信号的幅度足够。
    - 问题:关断延迟时间过长
    - 解决方案:优化驱动电路的电阻值,确保栅极电荷能够迅速释放。
    - 问题:温度过高导致失效
    - 解决方案:增加散热措施,确保工作温度不超过 150 °C。

    总结和推荐


    K1021-VB 功率 MOSFET 在高功率、高频应用中表现优异,具备出色的可靠性、快速的开关特性和低导通电阻。它的无卤素设计和符合 RoHS 的特性使其成为环保和高性能的完美结合。对于需要高效、可靠的电力管理解决方案的应用,强烈推荐使用 K1021-VB。

K1021-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 850V
FET类型 2个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.7Ω(mΩ)
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
Id-连续漏极电流 4A
最大功率耗散 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1021-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1021-VB数据手册

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K1021-VB封装设计

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