处理中...

首页  >  产品百科  >  IRFB4110QPBF-VB

IRFB4110QPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;VDS=100V;ID =180A;RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;它适用于各种高功率电源管理和功率控制应用,提供了可靠的功率转换和稳定的电流驱动能力。如工业电源、电动车充电器、工业高频电源等。
供应商型号: IRFB4110QPBF-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFB4110QPBF-VB

IRFB4110QPBF-VB概述

    IRFB4110QPBF-VB 技术手册解析

    产品简介


    IRFB4110QPBF-VB 是一款高性能的 N 沟道增强型 100V(D-S)MOSFET,由VBsemi推出。这款器件采用先进的TrenchFET® Power MOSFET技术,具备低导通电阻和卓越的热管理能力,适用于多种高压电源转换和驱动应用。主要功能包括高效开关、快速响应和高可靠性,广泛应用于通信设备、汽车电子、工业控制及消费电子产品等领域。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 100 V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.5 | 3.0 | 3.5 | V |
    | 栅源漏电电流 | IGSS ±100 | nA |
    | 导通状态漏源电阻 | RDS(on) 0.0030 | 0.0080 | Ω |
    | 连续漏极电流(Tc=25°C) | ID | 180 A |
    | 最大功率耗散(Tc=25°C) | PD 250 | W |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 175 | °C |

    产品特点和优势


    1. 高效能:低导通电阻(典型值为0.0030Ω),可有效降低功耗并提升效率。
    2. 卓越热管理:采用低热阻封装设计,确保长时间稳定运行。
    3. 高可靠性:符合AEC-Q101标准并通过UIS测试,适合严苛的工作环境。
    4. 快速开关:适用于高频开关电路,减少电磁干扰(EMI)。
    5. 易用性:兼容性良好,便于集成到现有系统中。

    应用案例和使用建议


    IRFB4110QPBF-VB 可用于以下场景:
    - 电池充电器和适配器中的同步整流。
    - 电机驱动器中的功率开关。
    - 照明驱动电路的高效降压转换。
    使用建议:
    - 在高频应用中,确保合理的栅极驱动电阻以优化开关性能。
    - 高温环境下,应适当增加散热措施,如使用外部散热片。
    - 考虑到栅极驱动噪声,可加装滤波电路以保护MOSFET。

    兼容性和支持


    IRFB4110QPBF-VB 具有良好的通用性,可直接替代市场上同类型号的器件。厂商提供完善的文档和技术支持,包括安装指南和常见问题解答。此外,VBsemi还提供专业的售后服务团队,协助客户解决实际使用中的问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 减小栅极电阻值以提高驱动能力。 |
    | 热失控 | 添加外置散热片并优化电路布局。 |
    | 开启电压过高 | 调整栅极驱动电压至额定范围(2V~10V)。 |

    总结和推荐


    IRFB4110QPBF-VB 以其高效的性能、可靠的品质和灵活的应用场景,成为当前电子设计领域的优秀选择。无论是开发新能源还是传统行业应用,这款MOSFET都能胜任。对于需要高效能功率管理的项目,强烈推荐选用此产品。
    如需更多技术支持或购买信息,请联系VBsemi服务热线:400-655-8788。

IRFB4110QPBF-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
通道数量 1
FET类型 2个N沟道
配置 -
Id-连续漏极电流 180A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ(mΩ)
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRFB4110QPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFB4110QPBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFB4110QPBF-VB IRFB4110QPBF-VB数据手册

IRFB4110QPBF-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 7.7739
100+ ¥ 7.1981
500+ ¥ 6.6223
1000+ ¥ 6.3343
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 77.73
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504