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IRLB3036GPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;VDS=60V;ID =270A;RDS(ON)=2.1mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;是一适用于高功率控制和驱动应用,包括电机驱动模块、电源转换模块、电焊设备控制模块等领域。
供应商型号: IRLB3036GPBF-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRLB3036GPBF-VB

IRLB3036GPBF-VB概述

    IRLB3036GPBF-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    IRLB3036GPBF-VB 是一款由VBsemi生产的高性能N沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它特别适用于高效率电源转换和开关电路。TrenchFET® 技术的应用使其在低导通电阻和高速开关性能方面表现卓越。本产品广泛应用于各种电子设备中,如电源管理模块、逆变器、电机驱动器等。

    2. 技术参数


    以下是IRLB3036GPBF-VB的主要技术规格:
    - 最大漏源电压(VDS):60V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):
    - VGS = 10 V 时:0.0016Ω
    - VGS = 4.5 V 时:0.0020Ω
    - 连续漏极电流(ID):270A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):600A
    - 最大单脉冲雪崩电流(IAS):75A
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS):281mJ
    - 最大耗散功率(PD):
    - TC = 25 °C 时:375W
    - TC = 125 °C 时:125W
    - 工作温度范围:-55 °C 至 +175 °C

    3. 产品特点和优势


    IRLB3036GPBF-VB 具有以下显著特点和优势:
    - 高效的TrenchFET® 技术:这种技术使得MOSFET具有较低的导通电阻和更快的开关速度。
    - 低热阻封装:优秀的热设计减少了工作温度下的热应力,提高了可靠性和使用寿命。
    - 全面测试:产品经过100% Rg和UIS测试,确保每一只产品都达到严格的性能标准。

    4. 应用案例和使用建议


    IRLB3036GPBF-VB 在多种应用中表现出色,包括但不限于:
    - 电源管理模块:低导通电阻有助于减少功耗和发热,提高整体效率。
    - 逆变器:快速的开关特性有助于实现高效的能量转换。
    - 电机驱动器:强大的电流处理能力适合高负载应用。
    使用建议:
    - 在使用前进行充分的热模拟和散热设计,以确保安全工作温度范围内的可靠运行。
    - 考虑并选择合适的散热片和其他散热方案,特别是对于高功率应用。

    5. 兼容性和支持


    IRLB3036GPBF-VB 可与大多数常见的电源管理和控制电路兼容。此外,VBsemi 提供详尽的技术支持文档和在线咨询服务,确保用户能够充分利用产品的所有功能。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及其解决办法:
    - 问题:无法实现预期的电流输出。
    - 解决方案:检查输入电压和栅极驱动信号,确保符合产品规范。
    - 问题:过热。
    - 解决方案:增加外部散热措施,确保良好的热管理。
    - 问题:噪音。
    - 解决方案:优化电路布局,减小干扰源。

    7. 总结和推荐


    总体而言,IRLB3036GPBF-VB 是一款出色的N沟道功率MOSFET,适用于高效率和可靠性要求的应用场合。它的高效、耐用和广泛的适用性使其成为众多工程项目的理想选择。强烈推荐在需要高性能电源管理和开关控制的场合使用这款产品。

IRLB3036GPBF-VB参数

参数
配置 -
通道数量 1
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 270A
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.1mΩ(mΩ)
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRLB3036GPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRLB3036GPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRLB3036GPBF-VB IRLB3036GPBF-VB数据手册

IRLB3036GPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 5.5284
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