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IXFX48N50Q-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,500V,50A,RDS(ON),90mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V)封装:TO247\n凭借其高电压和高电流处理能力以及较低的导通电阻,适用于各种需要高效、高电压和高功率的应用,为电源管理、电机驱动和开关应用
供应商型号: IXFX48N50Q-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXFX48N50Q-VB

IXFX48N50Q-VB概述

    IXFX48N50Q-VB N-Channel 500V Super Junction Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IXFX48N50Q-VB 是一款高性能的N沟道超级结功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款MOSFET广泛应用于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、高速电力开关以及硬开关和高频电路中。它的设计具有低导通电阻和高击穿电压的特点,使其在各种电力转换应用中表现出色。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDS): 500V
    - 连续漏极电流 (ID): 40A (TC = 25°C), 25A (TC = 100°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 180A
    - 最大功耗 (PD): 530W (TC = 25°C)
    - 热阻 (RthJA): 最大值为40°C/W
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.080Ω (VGS = 10V, ID = 28A)
    - 栅极电荷 (Qg): 最大值为350nC
    - 有效输出电容 (Coss eff.): 440pF (VDS = 0V到400V)
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 910mJ
    - 最大结温 (TJ): -55°C 至 +150°C
    - 封装: Super-247

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷 (Qg): 简化驱动要求,减少驱动器需求。
    - 增强的门控、雪崩和动态dv/dt耐用性: 增强了可靠性,特别是在恶劣环境中。
    - 完全表征的电容和雪崩电压电流: 确保准确的电气特性。
    - 低导通电阻 (RDS(on)): 保证了更高的效率和更低的损耗。
    - 符合RoHS指令2002/95/EC: 环保且安全。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例: 适用于开关电源、不间断电源系统和高频电路。
    - 使用建议:
    - 在使用时需注意最大结温限制,避免长时间超过150°C。
    - 针对重复脉冲,应注意脉宽不超过400μs,占空比不超过2%。
    - 设计时需考虑散热设计,避免过热损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品与其他标准Super-247封装的MOSFET兼容,便于替代使用。
    - 支持: 台湾VBsemi公司提供全面的技术支持,包括应用指导和技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 长期工作是否会发热过高?
    - A: 需要合理设计散热系统,确保散热效果良好。
    - Q: 高频应用下是否会出现寄生振荡?
    - A: 应设计低杂散电感的电路布局,并使用接地平面来降低泄漏电感。
    - Q: 是否支持逻辑电平驱动?
    - A: 支持,但需要注意驱动电压设置。

    7. 总结和推荐


    IXFX48N50Q-VB是一款高性能的N沟道超级结功率MOSFET,适用于多种电力转换应用。其低导通电阻、高可靠性和符合RoHS标准的特点使其在市场上具有显著的竞争优势。对于需要高效、可靠的电力转换应用,强烈推荐使用此款MOSFET。

IXFX48N50Q-VB参数

参数
FET类型 2个N沟道
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Id-连续漏极电流 50A
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ(mΩ)
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXFX48N50Q-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXFX48N50Q-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IXFX48N50Q-VB IXFX48N50Q-VB数据手册

IXFX48N50Q-VB封装设计

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