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IPD50R380CE-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;VDS=650V;ID =11A;RDS(ON)=370mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于太阳能逆变器、UPS逆变器等高压电源转换应用,提供稳定的功率转换和可靠的性能。
供应商型号: IPD50R380CE-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPD50R380CE-VB

IPD50R380CE-VB概述

    IPD50R380CE N-Channel 650V Super Junction Power MOSFET

    1. 产品简介


    产品类型:
    IPD50R380CE是一款N-Channel(N沟道)650V耐压的超级结功率MOSFET,具备出色的性能和低损耗特性。
    主要功能:
    - 适用于高效率的电力转换应用。
    - 能够在各种工业及消费电子产品中实现高效电源管理。
    应用领域:
    - 服务器和电信电源供应
    - 开关模式电源(SMPS)
    - 功率因数校正电源(PFC)
    - 高强度放电(HID)灯和荧光灯照明系统
    - 各种工业应用

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 (VDS) | - | 650 | - | V |
    | 漏源导通电阻 (RDS(on)) | - | 0.42 | - | Ω @ 25°C |
    | 总栅极电荷 (Qg) | - | 38 | 56 | nC @ 10V |
    | 栅源电荷 (Qgs) | - | 4 | - | nC |
    | 栅漏电荷 (Qgd) | - | 4.2 | - | nC |
    | 输入电容 (Ciss) | - | 680 | - | pF @ 1MHz |
    | 反向传输电容 (Crss) | - | - | - | pF |
    | 峰值脉冲漏电流 (ISM) | - | - | 55 | A |
    | 源漏二极管正向电压 (VSD) | - | - | 1.5 | V @ 5A |

    3. 产品特点和优势


    - 低图腾比 (Ron x Qg):这使得该MOSFET在高频开关应用中具有更低的功率损耗。
    - 低输入电容 (Ciss):减少寄生效应,提高开关速度。
    - 低栅极电荷 (Qg):有助于降低驱动电路的复杂性和功耗。
    - 增强型封装设计:提供更好的热管理和机械稳定性。
    - 高可靠性:重复脉冲下的雪崩能量额定值 (EAS) 达到132mJ,确保在极端条件下稳定工作。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在服务器电源供应系统中,IPD50R380CE能显著提升电源效率,降低系统总能耗。
    - 在工业控制系统中,如电机控制和工业自动化设备中,能有效降低损耗并提高整体性能。
    使用建议:
    - 确保在选择散热器时考虑到产品的热阻参数(RthJA),以防止过热。
    - 使用低阻抗接地连接,确保低杂散电感和低漏电现象,以达到最佳性能。
    - 在高频开关应用中,建议采用低泄露电感电流变压器来优化性能。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - IPD50R380CE可与大多数标准电源模块和控制器兼容。
    - 具备广泛的工作电压范围,适用性强。
    支持:
    - 厂商提供详细的技术文档和支持资源,包括数据表、应用笔记和常见问题解答(FAQ)。
    - 提供售前咨询和售后服务,确保客户能正确安装和使用产品。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 产品工作时温度过高 | 改进散热设计,确保良好通风条件 |
    | 开关频率不稳定 | 检查驱动电路配置,优化输入电容 |
    | 系统输出电压波动较大 | 确认驱动电压和栅极电荷匹配 |
    | 漏电流超过额定值 | 检查安装和连接是否稳固 |

    7. 总结和推荐


    总结:
    IPD50R380CE N-Channel 650V超级结功率MOSFET以其优异的性能和可靠性,在电力电子应用中表现出色。它在降低系统损耗、提高效率方面有显著优势,适合用于服务器电源、工业控制等场合。
    推荐:
    强烈推荐给需要高效电源管理系统的设计师和工程师。该产品卓越的性能和广泛的适用范围使其成为众多高要求应用的理想选择。

IPD50R380CE-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 1
栅极电荷 -
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 370mΩ(mΩ)
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 11A
最大功率耗散 -
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPD50R380CE-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPD50R380CE-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPD50R380CE-VB IPD50R380CE-VB数据手册

IPD50R380CE-VB封装设计

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