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IXTH20N50D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,500V,50A,RDS(ON),90mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V)封装:TO247 凭借其高电压和高电流处理能力以及较低的导通电阻,适用于各种需要高效、高电压和高功率的应用,为电源管理、电机驱动和开关应用
供应商型号: IXTH20N50D-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXTH20N50D-VB

IXTH20N50D-VB概述

    IXTH20N50D-VB N-Channel 500V(D-S) Super Junction Power MOSFET

    产品简介


    IXTH20N50D-VB 是一款 N-Channel 超级结功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有低栅极电荷和高可靠性,适用于多种高性能电力转换应用。这款 MOSFET 主要应用于开关模式电源(SMPS)、不间断电源系统、高速功率开关以及其他硬开关和高频电路中。

    技术参数


    以下是 IXTH20N50D-VB 的主要技术规格:
    - 电压额定值:VDS = 500V(源漏极电压)
    - 连续漏极电流:ID = 40A(25°C)至 25A(100°C)
    - 脉冲漏极电流:IDM = 180A(峰值脉冲)
    - 导通电阻:RDS(on) = 0.080Ω(VGS = 10V)
    - 总栅极电荷:Qg(max) = 350nC
    - 输入电容:Ciss = 8310pF(VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1.0MHz)
    - 输出电容:Coss = 960pF
    - 反向传输电容:Crss = 120pF
    - 栅极-源极电荷:Qgs = 85nC
    - 栅极-漏极电荷:Qgd = 180nC
    - 雪崩耐量:EAS = 910mJ(单脉冲雪崩能量)
    - 工作温度范围:TJ, Tstg = -55°C 至 +150°C
    - 热阻抗:RthJA = 40°C/W(最大结到环境热阻)

    产品特点和优势


    IXTH20N50D-VB 拥有以下显著特点和优势:
    - 低栅极电荷:这减少了驱动要求,提高了系统的整体效率。
    - 增强的门极和雪崩抗性:提供了更高的可靠性。
    - 完全表征的电容和雪崩电压/电流:确保了一致的性能。
    - 低导通电阻:实现了高效的能量转换。
    - 符合RoHS指令:环保材料,满足欧盟RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    IXTH20N50D-VB 最适用于 SMPS 和 UPS 等场合,这些应用通常需要高效率和快速响应时间。具体应用时,建议遵循以下建议:
    - 选择合适的驱动器:确保驱动器能够提供足够的栅极电荷,以降低开关损耗。
    - 优化电路布局:减少寄生电感,提高效率。
    - 合理分配散热:确保良好的热管理,避免过热。

    兼容性和支持


    IXTH20N50D-VB 设计用于与各类电子设备兼容,并提供了全面的技术支持。制造商还提供了详尽的数据表和典型特性图表,帮助用户进行设计和调试。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及其解决方案:
    - 问:如何计算栅极电荷?
    答:参考数据表中的典型栅极电荷曲线,选择合适的驱动器以满足所需的栅极电荷量。

    - 问:在高频应用中,如何减小栅极振铃?
    答:通过优化 PCB 布局,尽量减少寄生电感,可以显著减少栅极振铃现象。

    总结和推荐


    IXTH20N50D-VB 是一款性能优异的 N-Channel 功率 MOSFET,特别适合于高效率和高速度的应用场景。其低栅极电荷和高可靠性使其成为电力转换领域的理想选择。我们强烈推荐在 SMPS 和 UPS 系统中使用这款产品。
    服务热线:400-655-8788
    请注意,本手册中的数据仅作参考,具体应用前请验证产品的适用性和功能。

IXTH20N50D-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ(mΩ)
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
配置 -
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 50A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXTH20N50D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXTH20N50D-VB数据手册

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IXTH20N50D-VB封装设计

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