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52N25M5-VB TO220

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;VDS=250V;ID =50A;RDS(ON)=41mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3.5V;MOSFET适用于需要高功率、高电压和高效能量转换的应用,包括电源模块、电机驱动模块和工业电子模块等领域。
供应商型号: 52N25M5-VB TO220 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 52N25M5-VB TO220

52N25M5-VB TO220概述

    Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    本手册介绍了VBsemi公司生产的52N25M5型Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种N沟道MOSFET主要应用于需要高速开关的应用场景,例如电源转换器、电机驱动和太阳能逆变器等领域。它的特点是低导通电阻(RDS(on))、快速开关速度和高可靠性。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 栅极-源极电压(VGS):±20 V
    - 漏极-源极电压(VDS):250 V
    - 持续漏极电流(ID):TC = 25 °C 时为 50 A;TC = 100 °C 时为 43 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):580 mJ
    - 工作结温(TJ):-55 °C 至 +150 °C
    - 电气特性
    - 导通电阻(RDS(on)):在 VGS = 10 V,ID = 11 A 时为 0.041 Ω
    - 输入电容(Ciss):1300 pF
    - 输出电容(Coss):430 pF
    - 反向传输电容(Crss):130 pF
    - 总栅极电荷(Qg):70 nC
    - 动态特性
    - 开启延迟时间(td(on)):14 ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):45 ns
    - 下降时间(tf):36 ns

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:0.041 Ω 的低导通电阻使得功耗非常低,适用于高效能应用。
    - 快速开关:开关时间短,如 14 ns 的开启延迟时间和 36 ns 的下降时间,确保了系统的高效运行。
    - 高可靠性:150 °C 的工作温度范围和全面的雪崩额定值,确保在极端环境下也能稳定运行。
    - 环境友好:符合RoHS标准,并且无卤素,满足环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:52N25M5 型 MOSFET 可用于各种高频电源转换器,例如 DC-DC 转换器、电池充电器和逆变器。它还广泛应用于工业自动化和电动汽车系统。
    - 使用建议:
    - 确保在设计电路时充分考虑热管理和散热设计,以避免因过热而导致的失效。
    - 选择合适的栅极驱动电阻(Rg),以优化开关性能并减少损耗。
    - 在高频应用中,注意降低寄生电感,以减少开关过程中的电压尖峰。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:52N25M5 型 MOSFET 与多种 PCB 尺寸兼容,包括 1 英寸方形 PCB。此外,其外形尺寸符合 TO-220AB 标准,便于安装。
    - 支持:VBsemi 提供详尽的技术文档和支持服务。如果遇到任何问题,可以通过其服务热线 400-655-8788 联系技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:启动后设备无法正常工作。
    - 解决方案:检查栅极-源极电压(VGS)是否正确设置,并确保栅极驱动电阻(Rg)在合理范围内。
    - 问题 2:发热严重。
    - 解决方案:增加散热片或改进散热设计,确保 MOSFET 处于安全的工作温度范围内。

    7. 总结和推荐


    总体评价:52N25M5 型 MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元器件,适用于多种应用场景。它的低导通电阻、快速开关能力和环境友好特性使其在市场上具有很强的竞争力。对于需要高效率和高可靠性的应用,我们强烈推荐使用这款产品。
    通过详细的分析,我们可以得出结论,52N25M5 型 MOSFET 是一款非常值得购买和应用的产品。

52N25M5-VB TO220参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 41mΩ(mΩ)
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 250V
Id-连续漏极电流 50A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 2个N沟道
配置 -
最大功率耗散 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

52N25M5-VB TO220厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

52N25M5-VB TO220数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 52N25M5-VB TO220 52N25M5-VB TO220数据手册

52N25M5-VB TO220封装设计

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