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HM2N70R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。SOT223;N沟道;VDS=650V;ID =2A;RDS(ON)=4000mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=5000mΩ@VGS=4.5V;VGS=±30V;Vth=3.5V;该型号的MOSFET可用于太阳能逆变器中的功率开关电路,实现太阳能电能的有效转换和管理。其高耐压特性使其适用于太阳能发电系统中的高压环境。
供应商型号: HM2N70R-VB SOT223-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HM2N70R-VB

HM2N70R-VB概述

    HM2N70R N-Channel Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    HM2N70R 是一款高电压 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于工业控制、电源管理、电机驱动等领域。该器件具备出色的动态性能和低导通电阻,使得其在高频开关电路中表现出色。其紧凑的 SOT-223 封装,便于在各类紧凑设计中应用。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: |
    | 漏源电压 VDS | - | - | 650 | V |
    | 漏极电流 ID | 1.2 | - | 0.8 | A |
    | 最大脉冲漏极电流 IDM | - | - | 4.8 | A |
    | 导通电阻 RDS(on) (VGS=10V) | 8.4 | - | - | Ω |
    | 输入电容 Ciss | - | 350 | - | pF |
    | 输出电容 Coss | - | 48 | - | pF |
    | 门电荷 Qg | - | - | 18 | nC |
    | 门源电荷 Qgs | - | - | 3.0 | nC |
    | 门漏电荷 Qgd | - | - | 8.9 | nC |
    | 动态 dV/dt 额定值 | - | - | 3.0 | V/ns |
    | 重复雪崩电流 IAR | - | 2.0 | - | A |
    | 重复雪崩能量 EAR | - | - | 4.2 | mJ |
    | 结温范围 TJ, Tstg | -55 | - | 150 | °C |

    产品特点和优势


    1. 无卤素:符合 IEC 61249-2-21 定义,环保无害。
    2. 动态 dV/dt 额定值:具有卓越的抗干扰能力,适合高频开关应用。
    3. 重复雪崩额定值:能在高能脉冲下保持稳定性能。
    4. 易并联:便于多器件并联使用,提高整体输出能力。
    5. RoHS 合规:满足欧盟RoHS标准,环保无铅。

    应用案例和使用建议


    HM2N70R 可用于多种高频开关电源和逆变器电路中。例如,在工业电机驱动系统中,利用其快速开关特性和低导通电阻,可有效降低能耗,提高系统效率。在实际应用中,应注意合理布局以减少寄生电感,保证电路稳定性。建议使用时采用适当的门驱动电路,避免过压或过流情况发生。

    兼容性和支持


    HM2N70R 适用于各种标准门驱动电路,可方便地与其他同类 MOSFET 并联使用,以提高功率处理能力。制造商提供详尽的技术文档和支持服务,确保客户能够顺利部署和优化产品应用。

    常见问题与解决方案


    1. 问:HM2N70R 是否适用于高频率应用?
    - 答:是的。HM2N70R 的低输入电容 Ciss 和快速开关时间使其非常适合高频应用。
    2. 问:在高温环境下如何保护器件?
    - 答:通过选择合适的散热片和热阻抗匹配材料来控制器件温度。参考器件的数据手册,确保在最高允许结温范围内使用。

    总结和推荐


    HM2N70R N 沟道功率 MOSFET 以其优异的性能、良好的可靠性和广泛的适用性成为市场上的热门产品。尤其适合需要高性能和稳定性的高频开关应用场合。我们强烈推荐此产品用于工业和消费电子领域的电源管理和电机控制系统。

HM2N70R-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 2个N沟道
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4Ω(mΩ)
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 2A
通道数量 1
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 -
长*宽*高 7.3mm*6.8mm*1.9mm
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

HM2N70R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HM2N70R-VB数据手册

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HM2N70R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
2500+ ¥ 1.6556
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