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IXFR32N80P-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;VDS=800V;ID =20A;RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;在可再生能源领域,该器件可用于太阳能逆变器中的功率开关模块,将太阳能转换为可用的交流电能,推动清洁能源发展。
供应商型号: IXFR32N80P-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXFR32N80P-VB

IXFR32N80P-VB概述


    产品简介


    IXFR32N80P-VB N-Channel 800V SuperJunction Power MOSFET 是一款适用于高功率转换应用的新型场效应晶体管(FET)。该产品采用TO-247AC封装,具有超低栅极电荷(Qg)和低导通电阻(RDS(on)),适用于多种高压电力转换需求,包括服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源、高强度放电灯(HID)和荧光灯照明系统等。该产品因其出色的电气特性和广泛的应用范围,使其成为高可靠性工业电子系统的理想选择。

    技术参数


    - 额定电压(VDS):800V
    - 导通电阻(RDS(on)):在25°C时为0.24Ω
    - 最大连续漏极电流(ID):25°C时为2A;100°C时为15A
    - 脉冲漏极电流(IDM):76A
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS):691mJ
    - 热阻(RthJA):最高62°C/W
    - 最大功耗(PD):250W
    - 最大反向恢复时间(trr):400ns
    - 总栅极电荷(Qg):最大值140nC
    - 栅源电荷(Qgs):21nC
    - 栅漏电荷(Qgd):37nC

    产品特点和优势


    1. 低图腾柱(FOM)Ron x Qg:显著降低开关损耗。
    2. 低输入电容(Ciss):有助于快速开关。
    3. 低栅极电荷(Qg):减少门极驱动损耗。
    4. 高耐雪崩能力(UIS):确保在极端条件下依然稳定可靠。
    5. 卓越的温度特性:确保在不同温度下性能的一致性。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET特别适合用于高压大电流应用场景,如服务器电源、工业驱动器和高性能照明系统。在设计电路时,应考虑散热问题,以确保其在高功率操作下的稳定性。建议使用散热片或散热器来辅助散热,提高系统的整体可靠性和效率。

    兼容性和支持


    该产品与大多数标准的电源管理电路兼容。制造商提供详尽的技术文档和支持,以帮助客户在设计和实施过程中顺利进行。如果需要进一步的技术支持,可联系服务热线400-655-8788获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何避免过热?
    - 解决方案:增加散热片,确保良好的空气流通,避免长时间在极限温度下运行。
    2. 问题:开关频率过高导致发热问题
    - 解决方案:优化电路设计,适当减小电感和电容值,以降低开关损耗。
    3. 问题:如何判断是否需要更换MOSFET?
    - 解决方案:定期检测RDS(on),如果明显上升,则可能需要更换新的MOSFET。

    总结和推荐


    IXFR32N80P-VB N-Channel 800V SuperJunction Power MOSFET 是一款非常适合高压大电流应用的高可靠性产品。其低导通电阻、超低栅极电荷和出色的热管理能力使其在市场上具备很强的竞争优势。我们强烈推荐该产品用于各种高压电力转换和控制应用,特别是那些需要高效、可靠的电源解决方案的场合。

IXFR32N80P-VB参数

参数
配置 -
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 -
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 220mΩ(mΩ)
Vds-漏源极击穿电压 800V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 20A
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXFR32N80P-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXFR32N80P-VB数据手册

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IXFR32N80P-VB封装设计

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