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VBA1108S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。SOP8;N沟道;VDS=100V;ID =16A;RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=2.5V;适用于各种电动工具,如电动钻、电动锤等。
供应商型号: VBA1108S SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBA1108S

VBA1108S概述

    VBA1108S N-Channel 100V Super Trench Power MOSFET

    产品简介


    VBA1108S是一款N沟道100V(D-S)超级沟槽式功率MOSFET,主要应用于直流/直流初级侧开关、电信/服务器系统、电机驱动控制及同步整流等领域。这款MOSFET通过Super Trench技术实现了高效率和低功耗,适用于各种高压电力转换应用。

    技术参数


    VBA1108S的技术参数如下:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 | 100 V |
    | 门极漏电流 ±100 nA |
    | 门极-源极阈值电压 | 2 | 3.3 V |
    | 零门极电压漏极电流 | 1 10 | μA |
    | 漏源导通电阻 | 0.0082 | 0.0095 | 0.0105 | Ω |
    | 连续漏极电流(TJ=150°C) | 10.2 (TC=25°C) | 13 (TC=70°C) | 15.5 (TC=25°C) | A |
    | 热阻抗 | 29 | 35 | °C/W |
    | 单脉冲雪崩电流 | 30 A |
    | 雪崩能量 | 45 mJ |

    产品特点和优势


    - 超级沟槽技术:确保高效的电荷传输和低损耗。
    - 优秀的门极电荷x Rds(on)产品:平衡了开关速度和导通电阻,提高整体性能。
    - 非常低的导通电阻:Rds(on)低至0.0082Ω(VGS=10V),保证高效的能量转换。
    - 100% Rg和UIS测试:确保产品的稳定性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    VBA1108S广泛应用于直流/直流转换器、电源管理系统、电机驱动电路和通信设备中。对于直流/直流转换器应用,可以有效降低系统发热,提高能效;在电信/服务器系统中,由于其稳定的电流能力和高温工作特性,能够提供长期可靠的服务。
    使用建议:为了最大化VBA1108S的性能,在设计电路时应注意散热管理,确保设备能够在额定温度范围内稳定运行。此外,选择合适的PCB布局以减少寄生电感和电容对性能的影响也是至关重要的。

    兼容性和支持


    VBA1108S采用SO-8封装,具有良好的兼容性,可直接替换市场上现有的同类产品。VBsemi公司提供全面的技术支持,包括详细的文档资料、快速响应的客户支持以及现场工程师的支持服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确保VBA1108S在高温环境下正常工作?
    - 解决方案:确保设备的散热设计合理,遵循手册中的热阻抗参数,选用适当的散热片或散热器来保持设备温度在安全范围内。

    - 问题2:VBA1108S是否支持并联使用?
    - 解决方案:是的,可以通过并联多个VBA1108S来分散电流负载,但需注意并联时的均流设计以避免过载风险。

    总结和推荐


    VBA1108S N-Channel 100V Super Trench Power MOSFET凭借其高效、低损耗的特点,非常适合于高压电力转换应用。其卓越的性能和广泛的适用性使其在市场上具有强大的竞争力。推荐在需要高性能、高可靠性的电力转换应用中优先考虑使用此产品。
    如有更多疑问或需求,欢迎联系VBsemi服务热线:400-655-8788。

VBA1108S参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ(mΩ)
Id-连续漏极电流 16A
FET类型 2个N沟道
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
配置 -
最大功率耗散 -
长*宽*高 6.7mm*3.2mm*1.2mm
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBA1108S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBA1108S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBA1108S VBA1108S数据手册

VBA1108S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.1091
100+ ¥ 2.8788
500+ ¥ 2.6485
4000+ ¥ 2.5333
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