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IPD60R380E6-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;VDS=650V;ID =11A;RDS(ON)=370mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于太阳能逆变器、UPS逆变器等高压电源转换应用,提供稳定的功率转换和可靠的性能。
供应商型号: IPD60R380E6-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPD60R380E6-VB

IPD60R380E6-VB概述


    产品简介


    IPD60R380E6是一款N沟道650V超级结功率MOSFET,适用于多种电力转换应用。其主要功能在于低导通电阻(RDS(on))和低门极电荷(Qg),这使得它在高效率的开关模式电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)电路中表现卓越。这款MOSFET广泛应用于服务器和电信电源、工业控制、照明系统等领域,特别是高密度放电(HID)灯具和荧光灯镇流器。

    技术参数


    - 工作电压:最大漏源电压(VDS)为650V。
    - 电流能力:连续漏极电流(ID)为11A(在TC=25°C时),峰值脉冲电流(IDM)可达55A。
    - 温度范围:工作结温和存储温度范围为-55°C到+150°C。
    - 热阻:结到环境的最大热阻(RthJA)为60°C/W。
    - 栅源电压:绝对最大值为±30V。
    - 导通电阻:最大值为0.42Ω(在VGS=10V时)。
    - 电容:输入电容(Ciss)最大值为680pF(在VGS=0V,VDS=100V,f=1MHz时)。
    - 充电时间:输出电容(Coss)相关有效输出电容(Co(er))为63pF(VDS从0V上升至520V时)。
    - 总栅极电荷:最大值为56nC(在VGS=10V,ID=5A,VDS=520V时)。
    - 触发时间:开通延迟时间(td(on))最大值为25ns(VDD=520V,ID=5A,VGS=10V时)。

    产品特点和优势


    IPD60R380E6的显著优势在于其超低的栅极电荷(Qg)和栅极-源极电荷(Qgs),这有助于减少开关过程中的损耗。其低导通电阻(RDS(on))能够确保更高的能效,而反向恢复时间(trr)短,有助于提高电路的整体可靠性。此外,它在大功率应用中表现出色,尤其是在需要高频开关的应用场景中。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 服务器和电信电源:利用其高可靠性与高效能,在数据中心和通信设施中用于电源转换。
    2. 开关模式电源(SMPS):在各种消费电子产品和工业设备中作为开关管,实现高效能量转换。
    3. 功率因数校正(PFC):在交流供电设备中,以提高电能质量和减少谐波干扰。
    4. 照明系统:特别适用于荧光灯和HID灯具的驱动器中,实现稳定的光照控制。
    使用建议
    - 在设计SMPS时,考虑使用热管理系统以优化散热,提升长期稳定性。
    - 在高频应用中,应避免使用长引线和不必要的寄生电感,以减少开关过程中的损耗。
    - 在测试和评估过程中,建议使用专业的驱动器来实现最佳性能。

    兼容性和支持


    IPD60R380E6支持多种封装形式,包括TO-220AB、TO-252和TO-220FULLPAK,与市面上的大多数电源模块和电路板具有良好的兼容性。VBsemi公司提供全面的技术支持,包括详尽的产品手册、设计指南和快速响应的客户支持团队,帮助用户顺利实现产品应用。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 长期使用后,发热严重。
    - 解决方案: 确保良好的散热措施,如使用散热片或散热风扇。
    2. 问题: 开关频率过高导致过热。
    - 解决方案: 减少开关频率或选择更高额定功率的器件。
    3. 问题: 输出电压不稳定。
    - 解决方案: 检查电路接线是否正确,确保滤波电容容量足够。

    总结和推荐


    综上所述,IPD60R380E6是一款高性能的N沟道650V超级结功率MOSFET,以其出色的开关特性和较低的损耗在市场上表现出色。它特别适合于服务器、电信电源、工业控制和照明系统等高要求的应用场景。鉴于其卓越的性能和广泛的适用性,强烈推荐给寻求高效能电力转换解决方案的设计工程师。

IPD60R380E6-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 11A
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 370mΩ(mΩ)
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 2个N沟道
配置 -
栅极电荷 -
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPD60R380E6-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPD60R380E6-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPD60R380E6-VB IPD60R380E6-VB数据手册

IPD60R380E6-VB封装设计

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