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HM20N50A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: #N/A
供应商型号: HM20N50A-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HM20N50A-VB

HM20N50A-VB概述

    HM20N50A-VB N-Channel 500V Super Junction Power MOSFET 技术手册解读

    一、产品简介


    HM20N50A-VB 是一款高性能的 N 沟道增强型超级结功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有卓越的开关特性和耐压能力。其核心设计旨在满足现代电力电子应用的需求,特别是在高效率开关电源、不间断电源、高速功率开关和硬开关高频电路等领域表现出色。
    这款产品的工作电压为 500V,具备低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg),能够提供高效能的开关操作,同时显著降低功耗和提升系统整体效率。此外,其封装形式为 Super-247,支持大规模生产需求,广泛适用于工业、通信和消费电子等高可靠性场景。

    二、技术参数


    以下是 HM20N50A-VB 的关键技术和规格参数:
    | 参数 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |

    | 漏源击穿电压(VDS) | V | - | 500 | - |
    | 栅源阈值电压(VGS(th)) | V | 3.0 | 4.0 | 5.0 |
    | 导通电阻(RDS(on)) | Ω | - | 0.080 | - |
    | 总栅极电荷(Qg) | nC | - | 350 | - |
    | 输入电容(Ciss) | pF | - | 8310 | - |
    | 输出电容(Coss) | pF | - | 960 | - |
    | 有效输出电容(Coss eff.) | pF | - | 440 | - |
    | 工作温度范围 | ℃ | -55 | - | +150 |
    其他关键性能指标:
    - 高门级电压稳定性(±30V)
    - 最大连续漏极电流(TC = 25°C):40A
    - 超低栅极电荷(Qg)和低导通电阻确保低开关损耗
    - 符合 RoHS 标准,绿色环保
    三、产品特点与优势
    HM20N50A-VB 以其独特的性能特点在市场上脱颖而出:
    1. 超低导通电阻:典型值仅为 0.080Ω,适合高效率功率转换场景。
    2. 优化的栅极电荷:总栅极电荷仅 350nC,有助于减少驱动损耗。
    3. 高雪崩能力和抗冲击性:改善了门极、雪崩和动态 dV/dt 的坚固性。
    4. 高温工作能力:最大工作温度可达 150℃,适用于恶劣环境。
    5. RoHS 合规:绿色环保设计,符合环保标准,便于出口和国际市场销售。
    这些特点使得 HM20N50A-VB 在 SMPS、UPS 等对效率和稳定性的要求极高的场景中具备显著竞争优势。
    四、应用案例与使用建议
    HM20N50A-VB 适合多种高压高效率应用场合,具体如下:
    1. 开关电源模块:可实现高效稳压转换,显著提升整体能效。
    2. UPS(不间断电源):提供可靠的电力保护和瞬态响应。
    3. 高频率逆变器:快速开关操作满足高频电路需求。
    使用建议:
    - 布局优化:注意 PCB 布线时降低寄生电感,增强热管理。
    - 保护措施:增加门极电阻(如 25Ω)以防止误触发。
    - 热管理:选择合适的散热器,确保热阻符合要求。

    五、兼容性和支持


    HM20N50A-VB 可与同类高压功率 MOSFET 兼容,且支持主流电路设计。VBsemi 提供完善的技术支持,包括样品测试、样片申请和技术文档下载。若需要特殊定制,可通过服务热线(400-655-8788)联系客服团队。

    六、常见问题与解决方案


    以下为用户可能遇到的问题及其解决方法:
    1. 问题:开关速度慢
    解决方法:减小栅极电阻(RG)值至 1.0Ω 或更小。
    2. 问题:过温保护失效
    解决方法:检查散热器安装是否正确,避免工作温度超过 150℃。
    3. 问题:漏电流异常
    解决方法:确认接线无松动,检查门极电压是否正常。
    七、总结与推荐
    综上所述,HM20N50A-VB 是一款性能优异的 N 沟道高压 MOSFET,凭借其出色的低导通电阻、低栅极电荷、高可靠性和广泛应用性,非常适合现代电力电子系统的设计需求。尤其在高效率开关电源和高频电路中,其表现尤为突出。
    推荐指数:★★★★★
    强烈推荐给寻求高能效和可靠性的设计工程师!

HM20N50A-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ(mΩ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 50A
通道数量 1
配置 -
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

HM20N50A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HM20N50A-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HM20N50A-VB HM20N50A-VB数据手册

HM20N50A-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 12.8142
100+ ¥ 11.865
300+ ¥ 11.3904
500+ ¥ 10.9158
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