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IPW50R299CP-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,500V,50A,RDS(ON),90mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V)封装:TO247 凭借其高电压和高电流处理能力以及较低的导通电阻,适用于各种需要高效、高电压和高功率的应用,为电源管理、电机驱动和开关应用
供应商型号: IPW50R299CP-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPW50R299CP-VB

IPW50R299CP-VB概述


    产品简介


    IPW50R299CP-VB 是一款 N-Channel 500V 超结功率 MOSFET。该器件主要应用于开关模式电源(SMPS)、不间断电源、高速功率开关以及硬开关和高频电路等领域。该器件通过先进的工艺技术提供了低导通电阻、高可靠性以及卓越的电气特性,使得它在高性能电力转换应用中表现出色。

    技术参数


    以下是 IPW50R299CP-VB 的关键技术参数:
    | 参数 | 数值 |

    | 最大漏源电压 (VDS) | 500 V |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 0.080 Ω (VGS = 10 V) |
    | 最大总栅极电荷 (Qg) | 350 nC |
    | 栅源电荷 (Qgs) | 85 nC |
    | 栅漏电荷 (Qgd) | 180 nC |
    | 最大脉冲漏电流 (IDM) | 180 A |
    | 最大连续漏电流 (ID) | 40 A (TC = 25°C), 25 A (TC = 100°C) |
    | 最大重复雪崩能量 (EAR) | 51 mJ |
    | 最大单次雪崩能量 (EAS) | 910 mJ |
    | 最大结到环境热阻 (RthJA) | 40 °C/W |
    | 最大结到散热片热阻 (RthCS) | 0.24 °C/W |
    | 最大结到外壳热阻 (RthJC) | 0.23 °C/W |
    | 有效输出电容 (Coss eff.) | 440 pF |

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷 (Qg):有助于简化驱动要求,降低功耗。
    2. 增强的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性:提供了更高的可靠性。
    3. 完全表征的电容和雪崩电压及电流特性:确保高度一致的电气性能。
    4. 低导通电阻 (RDS(on)):提升效率,降低温升。
    5. 符合 RoHS 指令:环保,适用于全球市场。

    应用案例和使用建议


    应用案例:IPW50R299CP-VB 广泛用于各类电力转换装置,如开关电源、不间断电源系统以及工业控制系统。在这些应用中,它可以显著提高系统的整体效率和可靠性。
    使用建议:
    - 在设计中应考虑电路的布局,以减少寄生电感,确保良好的散热效果。
    - 使用适当的驱动器来优化栅极充电和放电时间,从而获得最佳的开关性能。
    - 在高功率应用中,要确保适当的热管理措施,以防止过热。

    兼容性和支持


    该产品具有广泛的兼容性,可以与各种标准电路板和电源系统无缝集成。制造商提供详尽的技术支持文档和售后服务,帮助用户解决问题并确保其正常运行。

    常见问题与解决方案


    1. Q:如何测试 IPW50R299CP-VB 的雪崩耐受性?
    - A: 可以参考手册中的图 12c 和相关描述进行测试。在规定条件下施加适当的电流和电压,并记录测试结果。
    2. Q:在高温环境下如何避免器件损坏?
    - A: 请确保使用时不超过最大结温(150°C),并在电路设计中采取适当的热管理措施。

    总结和推荐


    总结:IPW50R299CP-VB 是一款高性能的 N-Channel 500V 超结功率 MOSFET,具备低栅极电荷、低导通电阻、高可靠性和良好的电气特性。它广泛应用于开关电源、不间断电源及其他高功率电路中,是电力电子设计的理想选择。
    推荐:强烈推荐给需要高效、高可靠性的电力转换应用的设计工程师。无论是从性能还是从性价比的角度来看,该产品都是值得信赖的选择。

IPW50R299CP-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 500V
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 50A
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ(mΩ)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
配置 -
通道数量 1
FET类型 2个N沟道
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IPW50R299CP-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPW50R299CP-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPW50R299CP-VB IPW50R299CP-VB数据手册

IPW50R299CP-VB封装设计

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