处理中...

首页  >  产品百科  >  IXFX80N50P-VB

IXFX80N50P-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO247;VDS=500V;ID =47A;RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;一款单N型场效应晶体管,具有高耐压、低导通电阻和高漏电流承受能力,适用于各种高功率、高频率的电力电子应用。
供应商型号: IXFX80N50P-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXFX80N50P-VB

IXFX80N50P-VB概述


    产品简介


    产品名称:IXFX80N50P-VB
    类型:
    IXFX80N50P-VB 是一款高性能的 N-Channel 超级结功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件设计用于提高电力转换效率,适用于多种工业和商业应用。
    主要功能:
    - 低栅极电荷(Qg)
    - 低输入电容(Ciss)
    - 减少开关和导通损耗
    - 高雪崩能量耐受能力
    应用领域:
    - 服务器和电信电源
    - 开关模式电源(SMPS)
    - 功率因数校正电源(PFC)
    - 照明(如高强度放电灯 HID 和荧光灯)
    - 工业应用(如焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器及可再生能源系统,例如太阳能逆变器)

    技术参数


    绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDS):500 V
    - 栅源电压(VGS):±30 V
    - 连续漏电流(TJ = 150 °C):47 A (25 °C), 30 A (100 °C)
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):1410 mJ
    - 最大功耗(PD):387 W
    - 操作结温和存储温度范围(TJ, Tstg):-55 °C 至 +150 °C
    - 漏源电压斜率(dV/dt):37 V/ns
    规格(TJ = 25 °C):
    - 静态
    - 漏源击穿电压(VDS):≥500 V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):≤0.050 Ω
    - 输入电容(Ciss):5182 pF
    - 输出电容(Coss):251 pF
    - 反向传输电容(Crss):1 pF
    - 动态
    - 总栅极电荷(Qg):263 nC
    - 栅源电荷(Qgs):41 nC
    - 栅漏电荷(Qgd):72 nC
    - 开启延迟时间(td(on)):156 ns
    - 关断延迟时间(td(off)):234 ns
    - 开关下降时间(tf):20 ns

    产品特点和优势


    特点:
    - 极低的栅极电荷(Qg)
    - 低输入电容(Ciss)
    - 减少开关和导通损耗
    - 超低栅极电荷(Qg)
    - 雪崩能量耐受能力(UIS)
    优势:
    - 适合高频应用,降低功耗
    - 支持多种高压和高温条件下的可靠操作
    - 在工业和消费电子产品中广泛应用,能够显著提升效率

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 服务器和电信电源: IXFX80N50P-VB 的高可靠性使其成为服务器和电信电源系统的理想选择,能够在高频率下高效运行,减少能源浪费。
    - 工业焊接和电机驱动: 具有出色的开关特性和低损耗特性,非常适合工业焊接、感应加热及电机驱动等应用。
    使用建议:
    - 确保所有连接符合规范要求,避免过压和过流。
    - 考虑散热设计,确保长期稳定工作。
    - 对于高功率应用,可以采用外部散热片来增加热传导效率。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 与主流电源管理和控制系统兼容,确保无缝集成。
    支持:
    - 厂商提供全面的技术文档和在线支持服务,涵盖安装、调试、故障排除等方面。此外,用户还可通过官方渠道获取详尽的应用指南和技术咨询服务。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    - 问题1:设备无法正常启动
    - 解决方法:检查接线是否正确,确保供电电压和电流匹配。

    - 问题2:器件发热严重
    - 解决方法:检查散热设计是否合理,必要时增加散热片。
    - 问题3:切换过程中出现异常噪声
    - 解决方法:调整栅极电阻值,以改善开关性能。

    总结和推荐


    总结:
    IXFX80N50P-VB 在各项关键指标上表现出色,特别是其低栅极电荷和高效的开关特性。该产品特别适用于需要高可靠性和高能效的电力转换系统。
    推荐:
    鉴于其出色的性能和广泛的应用范围,强烈推荐 IXFX80N50P-VB 用于高要求的电力转换场合,如服务器电源、工业电机驱动等。其优秀的品质和可靠性确保了其在这些领域的持续稳定运行。

IXFX80N50P-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ(mΩ)
栅极电荷 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
通道数量 1
FET类型 2个N沟道
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 47A
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXFX80N50P-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXFX80N50P-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IXFX80N50P-VB IXFX80N50P-VB数据手册

IXFX80N50P-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 28.7038
100+ ¥ 26.5776
500+ ¥ 24.4514
900+ ¥ 23.3883
库存: 30000
起订量: 1 增量: 300
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 28.7
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336