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K2733-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。在太阳能逆变器和风力发电控制系统中,该型号的MOSFET可用于电源转换和电能调节,提高新能源系统的效率和稳定性。 TO220;N沟道,900V;5A;RDS(ON)=1500mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: K2733-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2733-VB

K2733-VB概述


    产品简介


    本文档介绍了型号为K2733-VB的N-通道超级结功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。K2733-VB是一款高电压、低电阻、高速开关性能优异的功率MOSFET,广泛应用于电源转换、电机驱动、工业控制等领域。

    技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 900V
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \): 1.3Ω (VGS = 10V)
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 200nC
    - 栅极-源极电荷 \( Q{gs} \): 24nC
    - 栅极-漏极电荷 \( Q{gd} \): 110nC
    - 绝对最大额定值
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 持续漏电流 \( ID \): 3.9A (Tc = 100°C)
    - 脉冲漏电流 \( I{DM} \): 21A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 770mJ
    - 重复雪崩电流 \( I{AR} \): 7.8A
    - 重复雪崩能量 \( E{AR} \): 19mJ
    - 最大功率耗散 \( PD \): 190W (Tc = 25°C)
    - 峰值二极管恢复 \( dV/dt \): 2.0V/ns
    - 热阻
    - 最大结至环境热阻 \( R{thJA} \): 40°C/W
    - 结至散热片热阻 \( R{thCS} \): 0.24°C/W
    - 最大结至外壳热阻 \( R{thJC} \): 0.65°C/W

    产品特点和优势


    1. 动态dV/dt等级: 高速开关能力使得MOSFET能够快速响应变化,减少功耗和发热。
    2. 重复雪崩等级: 支持多次重复雪崩操作,增强了耐久性和可靠性。
    3. 隔离中央安装孔: 中心安装孔设计确保了更好的机械稳定性和电气隔离。
    4. 易于并联: 设计上容易实现多器件并联,简化了复杂电路的设计。
    5. 简单的驱动需求: 驱动电路简单,降低了外围电路的设计复杂度。
    6. 符合RoHS标准: 无铅终端,环保且满足欧盟RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源转换: 在DC-DC转换器中作为主开关,提高效率和稳定性。
    - 电机驱动: 控制直流和交流电机,适用于工业控制系统。
    - 工业控制: 在自动化生产线中作为开关和保护元件。
    使用建议
    - 在高功率应用中,确保散热系统高效运行,避免过热。
    - 并联多个器件时,需注意均流,保证各器件负载均衡。
    - 在选择驱动电路时,注意信号完整性,避免信号延迟和反射。

    兼容性和支持


    - 兼容性: K2733-VB具有良好的兼容性,可与其他电子元件和设备配合使用。
    - 支持和服务: 生产商提供全面的技术支持和售后服务,确保用户在使用过程中得到及时帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关频率不稳定。
    - 解决方法: 检查电路布局,减少寄生电感和电容,确保驱动信号干净无干扰。
    2. 问题: 热管理不佳导致性能下降。
    - 解决方法: 优化散热设计,使用高效的散热器和热界面材料。
    3. 问题: 开关损耗过高。
    - 解决方法: 调整驱动电路参数,优化门极驱动电阻,降低开通和关断时间。

    总结和推荐


    综上所述,K2733-VB是一款高性能、高可靠性的N-通道超级结功率MOSFET,适用于多种工业应用。其优秀的开关特性、可靠的操作性能以及简单易用的特点使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐用于需要高效率和可靠性的电源转换和电机驱动场合。
    如果您有任何疑问或需要进一步的支持,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

K2733-VB参数

参数
通道数量 1
栅极电荷 -
FET类型 2个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5Ω(mΩ)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 5A
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 900V
Vgs-栅源极电压 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2733-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2733-VB数据手册

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K2733-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
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