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IRFP350LCPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,500V,50A,RDS(ON),90mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V)封装:TO247 凭借其高电压和高电流处理能力以及较低的导通电阻,适用于各种需要高效、高电压和高功率的应用,为电源管理、电机驱动和开关应用
供应商型号: IRFP350LCPBF-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFP350LCPBF-VB

IRFP350LCPBF-VB概述

    IRFP350LCPBF-VB N-Channel 500V(D-S) Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRFP350LCPBF-VB 是一款 N-Channel 超级结功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它设计用于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、高速功率开关和硬开关及高频电路。这款 MOSFET 具有低门极电荷和低导通电阻(RDS(on)),适合在高效率和高可靠性要求的应用中使用。

    技术参数


    | 参数 | 规格 |

    | 漏源电压 VDS | 500 V |
    | 导通电阻 RDS(on) | 0.080 Ω (VGS = 10 V) |
    | 门极电荷 Qg | 350 nC (Max.) |
    | 门极-源极电荷 Qgs | 85 nC |
    | 门极-漏极电荷 Qgd | 180 nC |
    | 漏极连续电流 ID | 40 A (TC = 100 °C) |
    | 单脉冲雪崩能量 EAS | 910 mJ |
    | 最大功率耗散 PD | 530 W (TC = 25 °C) |
    | 工作温度范围 TJ, Tstg | -55 °C 至 +150 °C |
    | 热阻 RthJA | 40 °C/W |

    产品特点和优势


    1. 低门极电荷:简化驱动需求。
    2. 增强的门极、雪崩和动态 dV/dt 耐久性:提高可靠性。
    3. 全面表征的电容和雪崩电压电流:确保稳定性能。
    4. 低 RDS(on):减少导通损耗。
    5. 符合 RoHS 指令 2002/95/EC:环保合规。

    应用案例和使用建议


    IRFP350LCPBF-VB 可广泛应用于各种电力转换和控制领域,如开关电源和高速功率开关。例如,在 SMPS 中,其低 RDS(on) 和高耐压特性使其在高压侧表现优异。建议在设计时考虑散热管理,特别是在高频和大电流应用中。具体应用建议如下:
    - SMPS 设计:确保电路板布局以减少寄生电感,优化散热设计。
    - UPS 设计:采用双脉冲测试以验证其在过载条件下的性能。
    - 高频率电路:选择合适的栅极驱动电路以优化开关速度和效率。

    兼容性和支持


    IRFP350LCPBF-VB 与多种标准电源设计兼容,适用于不同的电路拓扑结构。制造商提供详尽的技术支持文档和热线服务,确保用户能够获得及时的技术咨询和故障排除帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 高开关损耗:
    - 解决方案:检查栅极驱动电路,确保栅极电荷匹配,避免过高的 dV/dt。
    2. 热失控:
    - 解决方案:优化散热设计,如增加散热片或改善 PCB 散热路径。
    3. 漏极电压振荡:
    - 解决方案:检查电源布局,减少寄生电感,使用低 ESR 的滤波电容。

    总结和推荐


    IRFP350LCPBF-VB 在高效率和高可靠性方面表现出色,适用于广泛的工业和消费类电子产品应用。其独特的功能和优势使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐在需要高效能 MOSFET 的应用中使用此产品。

IRFP350LCPBF-VB参数

参数
配置 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ(mΩ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 50A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Vds-漏源极击穿电压 500V
FET类型 2个N沟道
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRFP350LCPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFP350LCPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFP350LCPBF-VB IRFP350LCPBF-VB数据手册

IRFP350LCPBF-VB封装设计

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