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ZDS020N60TB-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。SOP8;N沟道;VDS=650V;ID =4A;RDS(ON)=2400mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;作为开关器件,用于实现电源开关、驱动器控制和其他高压电路的控制功能,具有稳定性和可靠性。
供应商型号: ZDS020N60TB-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ZDS020N60TB-VB

ZDS020N60TB-VB概述


    产品简介


    ZDS020N60TB Power MOSFET
    ZDS020N60TB是一款由VBsemi公司生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关电源、电机驱动和逆变器等领域。这款MOSFET具有低导通电阻(RDS(on))和高雪崩耐受能力,可以有效地降低系统的能量损耗和热耗散。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS): 650V
    - 栅极-源极电压 (VGS): ±30V
    - 最大连续漏极电流 (ID): 3.0A (TC = 25°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 16A (≤ 300 µs; < 2% 脉冲占空比)
    - 最大栅极电荷 (Qg): 48nC (VGS = 10V, ID = 3.2A)
    - 阈值电压 (VGS(th)): 2.0-4.0V
    - 有效输出电容 (Coss eff.): 84pF
    - 零栅极电压漏极电流 (IDSS): 25µA (VDS = 650V)
    - 反向恢复时间 (trr): 493-739ns (TJ = 25°C, IS = 3.2A)
    - 最大功耗 (PD): 60W (TC = 25°C)
    - 最高工作温度范围: -55°C至+150°C

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷 (Qg): 低栅极电荷意味着驱动简单,有助于减少门极驱动需求。
    - 高可靠性和鲁棒性: 改善的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性,使得该器件能够在严苛的环境中稳定运行。
    - 完全字符化的电容和雪崩电压/电流: 使该器件适用于各种复杂的工作条件。
    - 符合RoHS标准: 满足环保要求,适用于绿色产品。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 开关电源: 利用其高电压和电流处理能力,在开关电源中提供高效能的开关控制。
    2. 电机驱动: 其高雪崩耐受能力和快速开关性能适合电机驱动系统。
    3. 逆变器: 适用于需要高可靠性和鲁棒性的逆变器应用。
    使用建议
    - 在选择门极驱动时,要考虑到低栅极电荷 (Qg),从而降低驱动电路的设计难度和成本。
    - 在实际应用中,需注意散热设计,以确保在高温条件下正常工作。可以通过增加散热片或使用散热膏来提高散热效果。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该器件采用SO-8封装,易于与其他标准电路板布局兼容。
    - 支持和维护: VBsemi公司提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助客户进行产品选型和应用设计。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 确保合适的栅极驱动电压和电流,避免过高的栅极电荷。 |
    | 散热不足导致过温 | 增加散热片或使用散热膏,确保良好的散热设计。 |
    | 寿命较短 | 定期检查和更换损坏的器件,严格按照推荐的应用条件使用。 |

    总结和推荐



    总结

    :
    ZDS020N60TB作为一款高性能的N沟道功率MOSFET,具备低栅极电荷、高雪崩耐受能力和全面的电气特性。其优良的性能使其在开关电源、电机驱动和逆变器等多种应用中表现出色。
    推荐:
    鉴于其出色的性能和广泛的适用范围,强烈推荐在各类高可靠性要求的应用中使用ZDS020N60TB。如果您正在寻找一款既能提供高效能又能确保长期稳定运行的MOSFET,那么ZDS020N60TB将是您的理想选择。

ZDS020N60TB-VB参数

参数
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.4Ω(mΩ)
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 2个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 1
Id-连续漏极电流 4A
长*宽*高 6.7mm*3.2mm*1.2mm
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

ZDS020N60TB-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ZDS020N60TB-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 ZDS020N60TB-VB ZDS020N60TB-VB数据手册

ZDS020N60TB-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.6556
4000+ ¥ 1.5836
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起订量: 15 增量: 4000
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型号 价格(含增值税)
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