处理中...

首页  >  产品百科  >  IXFH22N55-VB

IXFH22N55-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,500V,50A,RDS(ON),90mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V)封装:TO247 凭借其高电压和高电流处理能力以及较低的导通电阻,适用于各种需要高效、高电压和高功率的应用,为电源管理、电机驱动和开关应用
供应商型号: IXFH22N55-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXFH22N55-VB

IXFH22N55-VB概述


    产品简介


    IXFH22N55-VB 是一款N沟道500V(D-S)超级结功率MOSFET,适用于各种电力电子应用。这款MOSFET集成了低门极电荷(Qg)和高可靠性特性,特别适合于开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、高速功率切换和其他硬开关和高频电路的应用。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压(VDS) | 500 | V |
    | 最小门限电压(VGS(th)) | 3.0 - 5.0 | V |
    | 门源漏电流(IGSS) | ± 100 | nA |
    | 门极-源极电荷(Qgs) | 85 | nC |
    | 门极-漏极电荷(Qgd) | 180 | nC |
    | 漏源导通电阻(RDS(on)) | 0.080 | Ω |
    | 最大总门极电荷(Qg(Max)) | 350 | nC |
    | 重复脉冲最大雪崩能量(EAS) | 910 | mJ |
    | 重复雪崩电流(IAR) | 40 | A |
    | 最大功率耗散(PD) | 530 | W |
    | 工作温度范围(TJ, Tstg) | -55 to +150 | °C |

    产品特点和优势


    - 低门极电荷(Qg):使得驱动要求简单,减少了驱动功耗。
    - 改进的门极、雪崩和动态dV/dt耐用性:提高了可靠性和耐久性。
    - 全字符化电容和雪崩电压及电流:确保了产品的稳定性和一致性。
    - 低漏源导通电阻(RDS(on)):降低了功耗,提升了效率。
    - 符合RoHS标准:符合环保要求,适用于全球市场。

    应用案例和使用建议


    IXFH22N55-VB广泛应用于开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和高速功率切换电路中。例如,在一个典型的开关模式电源中,IXFH22N55-VB可以作为关键的开关元件,以减少损耗并提高效率。为了获得最佳性能,建议进行热管理设计,以防止过热问题。另外,合理的布局设计和降低杂散电感也是提高系统性能的关键因素。

    兼容性和支持


    IXFH22N55-VB采用超级247封装,适用于广泛的电路设计。该产品与其他标准电源组件具有良好的兼容性。制造商提供了详细的技术文档和支持服务,帮助用户更好地理解和使用该产品。此外,该产品符合RoHS标准,可以广泛应用于绿色电子产品中。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:门极驱动电压不足导致器件无法正常工作
    - 解决方法:确保门极驱动电压达到推荐值,通常为10V。
    2. 问题:工作温度过高导致器件失效
    - 解决方法:进行有效的热管理设计,例如增加散热片或者风扇,确保工作温度在允许范围内。
    3. 问题:开关频率过高导致器件失效
    - 解决方法:根据产品手册中的推荐脉冲宽度和占空比限制,合理设置开关频率。

    总结和推荐


    IXFH22N55-VB是一款高性能的N沟道超级结功率MOSFET,具有出色的电气特性和高可靠性。其低门极电荷和低漏源导通电阻使其非常适合于各种电力电子应用。通过合理的应用设计和热管理措施,该产品能够提供高效可靠的性能。因此,强烈推荐给需要高性能功率MOSFET的工程师和设计师。

IXFH22N55-VB参数

参数
配置 -
Id-连续漏极电流 50A
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ(mΩ)
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
FET类型 2个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXFH22N55-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXFH22N55-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IXFH22N55-VB IXFH22N55-VB数据手册

IXFH22N55-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 12.5579
100+ ¥ 11.6277
500+ ¥ 10.6975
900+ ¥ 10.2324
库存: 30000
起订量: 5 增量: 300
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 62.78
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336