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K1528-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;VDS=900V;ID =2A;RDS(ON)=2700mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于太阳能逆变器中的功率开关,用于将太阳能光伏板产生的直流电转换为交流电,供电给家庭或工业用电网络。
供应商型号: K1528-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1528-VB

K1528-VB概述

    # N-Channel (D-S) Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel (D-S) Super Junction Power MOSFET(型号K1528)是一种高性能的功率电子器件,适用于需要高电压和高效能的应用场景。它是一款采用超级结技术设计的N沟道MOSFET,具有低导通电阻(RDS(on))和快速开关能力,广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动器等领域。
    主要功能
    - 支持高动态dv/dt
    - 重复性雪崩测试通过
    - 隔离式中心安装孔设计
    - 快速开关性能
    - 易于并联使用
    - 简单的驱动要求
    - 符合RoHS指令2002/95/EC
    应用领域
    - 开关电源
    - 太阳能逆变器
    - 电动汽车及混合动力汽车的电机控制
    - 工业电机驱动系统

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS 900 V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 4.0 | V |
    | 栅源漏电流 | IGSS ±100 | nA |
    | 零栅电压漏极电流 | IDSS 100 | μA |
    | 导通电阻 | RDS(on) 2.0 Ω |
    | 输入电容 | Ciss 500 pF |
    | 输出电容 | Coss 500 pF |
    | 反向转移电容 | Crss 290 pF |
    | 总栅极电荷 | Qg 200 | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs 24 nC |
    | 栅源电荷 | Qgd 110 | nC |
    | 动态dv/dt限制 | dV/dt 2.0 V/ns |

    产品特点和优势


    特点
    1. 高动态dv/dt额定值:能够在高压快速变化环境下保持稳定工作。
    2. 重复性雪崩测试通过:确保器件在恶劣条件下依然可靠。
    3. 隔离式中心安装孔:便于散热管理,增强安装可靠性。
    4. 快速开关:降低开关损耗,提高效率。
    5. 易于并联:方便实现更大电流输出。
    6. 简单的驱动需求:降低驱动电路复杂度。
    7. 符合RoHS指令:绿色环保设计。
    优势
    - 极高的耐压能力(VDS高达900V),适用于高压场景。
    - 出色的导通电阻性能,显著减少能耗。
    - 快速的开关速度,适用于高频应用。
    - 优越的抗雪崩能力,确保长期稳定运行。
    - 设计灵活,适合多种应用需求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 太阳能逆变器:利用其高效率和快速开关特性,在光伏系统中作为核心功率开关组件。
    2. 电动车充电器:提供高效且可靠的电力传输解决方案。
    3. 工业电机驱动:结合其高功率密度和易于并联的特点,满足大电流需求。
    使用建议
    - 在设计驱动电路时,选择合适的栅极电阻(Rg)以避免过高的开关损耗。
    - 注意散热设计,尤其是高功率应用下,必须保证良好的热管理措施。
    - 测试阶段可参考典型特性曲线(如Fig.1至Fig.14),确保最佳工作状态。

    兼容性和支持


    兼容性
    该产品与其他主流电子元器件高度兼容,特别是那些遵循标准TO-252封装的产品。此外,VBsemi公司提供了详尽的技术文档和支持服务,包括硬件选型指南和技术咨询。
    厂商支持
    - 客户技术支持热线:400-655-8788
    - 在线资源:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 调整栅极电阻(Rg)至合适范围 |
    | 过热现象频繁发生 | 加强散热设计,改善热管理系统 |
    | 导通电阻偏高 | 检查是否处于额定电压范围内使用 |
    | 开关波形异常 | 确保电路布局合理,降低寄生电感 |

    总结和推荐


    综合评估
    K1528 N-Channel (D-S) Super Junction Power MOSFET 是一款集高性能与高可靠性于一体的电子元器件。它在导通电阻、动态dv/dt、快速开关等方面表现卓越,非常适合需要高效率和高稳定性的应用场景。厂商提供的技术支持和文档也为用户带来了极大便利。
    推荐结论
    强烈推荐此产品用于高压、高频电力电子系统中。无论是新能源领域还是传统工业市场,这款器件都能为用户提供理想的解决方案。同时,VBsemi公司在售后服务方面的承诺也使其成为值得信赖的选择。

K1528-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 900V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 2.7Ω(mΩ)
栅极电荷 -
FET类型 2个N沟道
配置 -
Id-连续漏极电流 2A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K1528-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1528-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1528-VB K1528-VB数据手册

K1528-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.8594
100+ ¥ 4.4995
500+ ¥ 4.1395
2500+ ¥ 3.9595
库存: 400000
起订量: 10 增量: 2500
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