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IPI070N08N3 G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO262;N沟道;VDS=80V;ID =85A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V;RDS(ON)=10mΩ@VGS=4.5V;VGS=±20V;Vth=3V;可以用于驱动和控制各种电机、阀门和执行器,帮助实现自动化生产线的高效运行和精确控制。
供应商型号: IPI070N08N3 G-VB TO262
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPI070N08N3 G-VB

IPI070N08N3 G-VB概述

    # IPI070N08N3 G-VB N-Channel 80V MOSFET 技术手册

    产品简介


    IPI070N08N3 G-VB 是一款由 VBsemi 生产的 N-Channel MOSFET(场效应晶体管),主要应用于电源转换和高效率系统中。这款 MOSFET 具备出色的性能和可靠性,适用于多种工业和消费电子产品,如开关电源、同步整流、直流/交流逆变器和 LED 背光照明等。其采用 TrenchFET® 技术,保证了卓越的导电性能和耐用性。

    技术参数


    主要规格
    - 漏极-源极电压 (VDS): 80V
    - 最大漏极电流 (ID): 30A @ VGS = 10V
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 0.0065Ω @ VGS = 10V
    - 0.0070Ω @ VGS = 6V
    - 0.010Ω @ VGS = 4.5V
    - 门极-源极电荷 (Qg): 17.1 nC @ VGS = 4.5V
    - 门极-漏极电荷 (Qgd): 7.3 nC
    - 门极-源极电容 (Ciss): 8000pF @ VDS = 40V
    - 输出电容 (Coss): 950pF
    - 反向传输电容 (Crss): 276pF
    - 额定最大温度范围: -55°C 到 150°C
    - 最大功耗: 40W @ 70°C
    - 热阻抗 (RthJA): 20°C/W
    - 热阻抗 (RthJC): 1.5°C/W
    工作环境
    - 最大焊接温度: 260°C
    - 最大脉冲电流 (IDM): 250A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 45mJ

    产品特点和优势


    IPI070N08N3 G-VB 的核心优势在于其高耐压能力(80V)和低导通电阻(RDS(on))。这种设计使得该 MOSFET 在高效率转换电路中表现优异。此外,其具备优良的热稳定性和低热阻特性,能够在高温环境下可靠运行。其 TrenchFET® 技术进一步提高了整体性能,使得其适用于要求严格的工业应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 同步整流: 在高频开关电源中,使用 IPI070N08N3 G-VB 可以提高整流效率,减少损耗。
    - LED 背光照明: 在背光驱动电路中,它能提供快速的开关速度和高电流承载能力。
    - DC/AC 逆变器: 在需要高效能转换的应用中,如太阳能逆变器,可以显著提升系统的整体效率。
    使用建议
    - 在高功率应用中,建议使用外部散热片来辅助散热,以延长 MOSFET 的使用寿命。
    - 确保 MOSFET 的门极驱动信号有足够的上升时间,以避免不必要的过冲现象。
    - 对于高频率应用,合理选择门极电阻(Rg),以确保稳定的开关性能。

    兼容性和支持


    兼容性
    IPI070N08N3 G-VB 与大多数标准电路板设计兼容,能够直接安装在 1" x 1" FR4 板上。其 TO-262 封装使得安装过程更为便捷。但需要注意的是,该封装为无铅设计,因此不建议使用烙铁进行手动焊接。
    支持和服务
    VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的使用指南和技术文档。客户可通过 400-655-8788 服务热线获取相关帮助。

    常见问题与解决方案


    问题1: 如何处理过高的门极-源极电压?
    解决方案: 建议使用稳压电路来限制 VGS 不超过 20V,避免 MOSFET 损坏。
    问题2: 如何降低 MOSFET 的温升?
    解决方案: 在设计中加入合适的散热片,并确保良好的空气流通。在高温环境下,适当减小负载电流,以降低 MOSFET 的温升。
    问题3: 如何避免门极-漏极电容带来的影响?
    解决方案: 使用合理的门极驱动电阻(Rg)值,减少门极-漏极电容的影响,同时确保足够的门极-源极充电时间。

    总结和推荐


    IPI070N08N3 G-VB 是一款非常出色的 N-Channel MOSFET,具有优异的电气特性和可靠的性能。其低导通电阻和高效的开关特性使其成为许多应用的理想选择。特别适用于需要高功率密度和高效率的应用场合。强烈推荐给需要高效能 MOSFET 的工程师和设计师。
    通过本文档的内容,我们希望读者能够深入了解 IPI070N08N3 G-VB 的各项技术和性能指标,从而更好地利用其优势,在实际应用中获得更好的效果。

IPI070N08N3 G-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 80V
Id-连续漏极电流 85A
通道数量 1
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ(mΩ)
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
FET类型 2个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
栅极电荷 -
长*宽*高 3.2mm*3.2mm*800μm
通用封装 TO-262
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPI070N08N3 G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPI070N08N3 G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPI070N08N3 G-VB IPI070N08N3 G-VB数据手册

IPI070N08N3 G-VB封装设计

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