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21N65M5-VB TO247

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;VDS=700V;ID =47A;RDS(ON)=80mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;可用于工业设备、电动汽车充电桩等需要高功率转换的场合,提供稳定的电力输出。
供应商型号: 21N65M5-VB TO247 TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 21N65M5-VB TO247

21N65M5-VB TO247概述


    产品简介


    21N65M5-VB 是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用E系列技术制造。这款产品因其快速体二极管而备受关注,适用于多种高要求的应用场景,如电信电源、LED照明、消费电子、工业焊接、太阳能光伏逆变器以及开关模式电源(SMPS)等。

    技术参数


    - 工作电压:最大漏源电压VDS为750V。
    - 导通电阻:典型值为0.070Ω(VGS=10V时)。
    - 栅极电荷:最大值为278nC(VGS=10V,ID=22A,VDS=560V)。
    - 输入电容:典型值为5892pF(VGS=0V,VDS=100V,f=1MHz)。
    - 工作温度范围:存储和操作温度范围为-55°C到+150°C。
    - 最大脉冲电流:IDM可达154A。
    - 最大功率耗散:PD为427W。

    产品特点和优势


    21N65M5-VB MOSFET拥有多个显著的技术特点和优势:
    - 快速体二极管:大大减少了反向恢复时间(trr)、恢复电荷(Qrr)和峰值恢复电流(IRRM)。
    - 低RDS(on) x Qg:低的栅极电荷和导通电阻,提高了效率并降低了开关损耗。
    - 低Ciss:低输入电容使得驱动更容易。
    - 增强的可靠性:能够承受反复脉冲电流,具有较高的单脉冲雪崩能量(EAS)。

    应用案例和使用建议


    - 电信行业:常用于服务器和电信电源,要求高可靠性及稳定性。
    - 照明:适用于高亮度放电灯(HID)和LED灯,由于其快速体二极管特性,在快速切换下表现优异。
    - 消费电子:如ATX电源,需要低开关损耗以提高整体效率。
    - 工业应用:如电池充电器和焊接设备,能够在高电流环境下稳定运行。
    使用建议:在高频率应用中,可以考虑并联多个器件以进一步降低损耗,提高系统的整体效率。

    兼容性和支持


    21N65M5-VB MOSFET采用了TO-247AC封装,易于集成到现有的电路设计中。制造商提供了详细的技术支持和售后服务,包括参数数据表、应用指南和故障排除指南,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何减少MOSFET的热阻?
    A: 通过改善散热设计,比如增加散热片或使用更高导热系数的材料,可有效降低热阻。
    - Q: 开关过程中出现振铃现象如何处理?
    A: 通过选择合适的栅极电阻和驱动器,优化电路布局以减少寄生电感,可以显著减小振铃现象。
    - Q: MOSFET在高频率下的损耗如何控制?
    A: 减少栅极电荷(Qg)和导通电阻(RDS(on))的乘积(FOM),同时优化电路布局以减少寄生电感,有助于降低高频损耗。

    总结和推荐


    21N65M5-VB是一款优秀的N沟道MOSFET,具备出色的开关性能和高可靠性,广泛应用于各种电力转换系统。它在电信、照明、消费电子、工业和新能源等领域有着出色的表现。强烈推荐使用这款产品,尤其是在高可靠性要求的应用场合。
    服务热线:400-655-8788

21N65M5-VB TO247参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 700V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 47A
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ(mΩ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 1
配置 -
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

21N65M5-VB TO247厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

21N65M5-VB TO247数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 21N65M5-VB TO247 21N65M5-VB TO247数据手册

21N65M5-VB TO247封装设计

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