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FDB28N30TM-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO263;N沟道;VDS=500V;ID =30A;RDS(ON)=140mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于电动汽车电力系统、工业高压电源模块和太阳能逆变器等高功率电力和电子应用,为这些领域提供稳定可靠的功率开关功能,推动高功率应用领域的发展和应用。
供应商型号: FDB28N30TM-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDB28N30TM-VB

FDB28N30TM-VB概述

    FDB28N30TM N-Channel 500-V (D-S) Super Junction MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDB28N30TM 是一款高性能的N通道超级结(Super Junction)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),具有低栅极电荷(Qg)、低输入电容(Ciss)、减少的开关和导通损耗等特性。这款产品主要用于硬开关拓扑结构、功率因数校正电源(PFC)、开关模式电源(SMPS)以及计算设备如PC银盒/ATX电源和照明系统中的两级LED照明。其卓越的性能使其成为各种电力转换和管理应用的理想选择。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS):500V(最大)
    - 最大漏源导通电阻 (RDS(on)):0.115Ω(25℃,VGS=10V)
    - 最大总栅极电荷 (Qg):86nC(典型值57nC)
    - 输入电容 (Ciss):1980pF
    - 输出电容 (Coss):105pF
    - 反向传输电容 (Crss):-8pF
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS):500V
    - 栅源电压 (VGS):±30V
    - 持续漏极电流 (TJ=150℃):18A(TC=100℃)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):273mJ

    产品特点和优势


    FDB28N30TM 的主要特点是其低栅极电荷 (Qg) 和低输入电容 (Ciss),这些特性显著减少了开关和导通损耗。此外,它还具备高可靠性,能够在广泛的温度范围内稳定运行。其独特的雪崩能量评级 (UIS) 也使得它能够在极端条件下保持稳定的性能,适用于需要高可靠性的电力转换系统。

    应用案例和使用建议


    FDB28N30TM 在多个应用场景中表现出色,尤其是在硬开关拓扑结构和高效率的开关电源设计中。例如,在ATX电源设计中,它可以有效地提高系统的整体效率并减少功耗。使用时建议结合低寄生电感和接地平面来最小化噪声干扰,确保最佳性能。

    兼容性和支持


    该产品采用D2PAK (TO-263) 封装,与其他标准组件具有良好的兼容性。制造商提供了全面的技术支持和服务热线(400-655-8788),可以提供关于安装、调试和维护方面的帮助。此外,厂商还提供详尽的产品文档和技术资料,方便用户参考和使用。

    常见问题与解决方案


    根据技术手册,以下是几个常见的用户问题及其解决方案:
    1. 问题:产品在高温下运行时性能不稳定。
    解决方案:确保散热系统设计合理,避免长期在高温环境下运行。可考虑增加散热片或液冷系统以降低温度。

    2. 问题:栅源电压过高导致损坏。
    解决方案:遵循手册中的电气特性规范,确保不超过最大允许的栅源电压 (VGS)。

    3. 问题:在某些情况下无法正常启动。
    解决方案:检查电路连接是否正确,确认外部条件(如电压、电流)符合产品要求。

    总结和推荐


    总体而言,FDB28N30TM 在其应用领域内表现卓越,尤其适合于需要高效能、高可靠性的电力转换和管理场景。凭借其低损耗特性、高可靠性和宽泛的工作温度范围,它在硬开关拓扑结构和高效率电源设计中表现尤为突出。因此,我们强烈推荐使用此产品,特别是在需要高性能电力转换解决方案的场合。

FDB28N30TM-VB参数

参数
FET类型 2个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 500V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 140mΩ(mΩ)
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通道数量 1
Id-连续漏极电流 30A
长*宽*高 16mm*10.8mm*4.9mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FDB28N30TM-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDB28N30TM-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDB28N30TM-VB FDB28N30TM-VB数据手册

FDB28N30TM-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 9.9666
500+ ¥ 9.1693
1000+ ¥ 8.7706
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