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TSP3N80N-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220;N沟道;VDS=850V;ID =4A;RDS(ON)=2700mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;可以应用于电机控制模块和工业自动化设备中的电源开关和驱动电路,实现高效、稳定的工业生产过程。
供应商型号: TSP3N80N-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) TSP3N80N-VB

TSP3N80N-VB概述

    TSP3N80N Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    TSP3N80N 是一款高性能的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它适用于多种高要求的应用场合,如电源转换器、电机驱动器和逆变器等。这款MOSFET采用TO-220AB封装,具有低导通电阻(RDS(on))、快速开关速度和重复雪崩耐受能力,使其成为高效能应用的理想选择。

    2. 技术参数


    以下是TSP3N80N的主要技术规格:
    - 电压等级: VDS = 850 V
    - 导通电阻: RDS(on) @ 10 V VGS = 2.7 Ω
    - 栅极电荷: Qg(max) = 78 nC
    - 输入电容: Ciss = 1300 pF
    - 输出电容: Coss = 310 pF
    - 反向传输电容: Crss = 190 pF
    - 最大连续漏极电流: ID = 4.1 A (TC = 25 °C), 2.6 A (TC = 100 °C)
    - 最大脉冲漏极电流: IDM = 16 A
    - 最大单次雪崩能量: EAS = 260 mJ
    - 最大重复雪崩能量: EAR = 13 mJ
    - 最大功率耗散: PD = 125 W (TC = 25 °C)

    3. 产品特点和优势


    TSP3N80N具备以下显著特点和优势:
    - 无卤材料: 符合IEC 61249-2-21标准,适合环保应用。
    - 动态dV/dt额定值: 支持快速电压变化,适用于高速应用。
    - 重复雪崩额定值: 可承受反复的雪崩事件,提高了可靠性。
    - 快速开关: 优秀的开关特性,减少开关损耗。
    - 易于并联: 易于与其他MOSFET并联使用,提高整体效率。
    - 简单的驱动需求: 需要较少的驱动资源,简化设计复杂度。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电源转换器: TSP3N80N可用于高压直流到直流转换器中,提供高效的电源管理。
    - 电机驱动器: 在电机驱动应用中,其高可靠性可确保电机稳定运行。
    - 逆变器: 作为逆变器的关键部件,其低导通电阻和快速开关性能可以提高系统效率。
    使用建议:
    - 确保散热良好,特别是在高负载条件下。
    - 选择合适的驱动电路以优化性能。
    - 注意驱动电阻的选择,以避免振铃效应。

    5. 兼容性和支持


    TSP3N80N支持广泛的电源和驱动电路,兼容大多数标准应用。制造商提供了详尽的技术支持文档和售后服务,包括安装指导、故障排查和技术咨询等。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 漏极电流不稳定。
    - 解决方案: 检查驱动电阻是否合适,确保驱动信号的质量。

    - 问题: 开关时间过长。
    - 解决方案: 优化电路布局,降低寄生电感,增强热管理。
    - 问题: 温度过高导致性能下降。
    - 解决方案: 使用更大的散热器,确保良好的空气流通。

    7. 总结和推荐


    综上所述,TSP3N80N是一款高性能、高可靠性的N沟道功率MOSFET。其优秀的导通电阻、快速开关能力和重复雪崩耐受能力使其非常适合各种高要求应用。因此,强烈推荐在电源管理和电机控制等领域使用此产品。

TSP3N80N-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
配置 -
Id-连续漏极电流 4A
FET类型 2个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 850V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 2.7Ω(mΩ)
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

TSP3N80N-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

TSP3N80N-VB数据手册

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TSP3N80N-VB封装设计

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