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NCE60R360K-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO252;N沟道;VDS=650V;ID =11A;RDS(ON)=370mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;适用于太阳能逆变器、UPS逆变器等高压电源转换应用,提供稳定的功率转换和可靠的性能。
供应商型号: NCE60R360K-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE60R360K-VB

NCE60R360K-VB概述

    # NCE60R360K N-Channel 650V (D-S) Super Junction Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    基本介绍
    NCE60R360K是一款高性能的N沟道650V超级结功率MOSFET,适用于多种高压电源和开关应用。该产品采用了先进的超级结技术,具有低导通电阻(RDS(on))和低门极电荷(Qg),可显著降低开关损耗和传导损耗,从而提高整体能效。
    主要功能
    - 适用于服务器、电信电源及工业级电源系统。
    - 支持高功率因数校正(PFC)和开关模式电源(SMPS)。
    - 广泛应用于高强度放电灯(HID)和荧光灯镇流器等照明设备。
    - 具备卓越的雪崩能量承受能力(UIS),确保在极端条件下的稳定运行。
    应用领域
    - 数据中心电源管理
    - 通信设备电源供应
    - 工业控制设备
    - 高效节能照明系统

    2. 技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS 650 | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) 0.42 Ω |
    | 总栅极电荷 | Qg 38 | 56 | nC |
    | 输入电容 | Ciss 680 pF |
    | 输出电容 | Coss | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | pF |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 150 | °C |
    其他关键参数:
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):55 A
    - 极限雪崩能量(EAS):132 mJ
    - 最大热阻抗:RthJA = 60°C/W

    3. 产品特点和优势


    独特功能
    - 低损耗设计:RDS(on)×Qg值极低,显著减少切换和传导损失。
    - 高可靠性:经过优化的超级结结构提高了耐压能力和抗浪涌能力。
    - 快速开关性能:超低门极电荷(Qg),适合高频工作环境。
    市场竞争力
    NCE60R360K以其卓越的性能和效率在市场上脱颖而出,尤其适合需要高功率密度和高效率的应用场景。其优异的散热特性和可靠性使其成为高压开关电源的理想选择。

    4. 应用案例和使用建议


    实际应用场景
    - 服务器电源:利用其低损耗特性,在大功率负载下提供稳定的电力输出。
    - 荧光灯镇流器:结合快速开关性能,有效抑制电磁干扰(EMI)并延长灯具寿命。
    - 工业逆变器:通过其高雪崩能量能力,增强系统的抗浪涌保护性能。
    使用建议
    - 在设计电路时,建议合理分配门极电阻(Rg),以优化开关速度和稳定性。
    - 使用大面积散热器或风扇加强散热效果,避免高温对器件造成损害。
    - 配合输入滤波器和RC吸收网络,进一步提升整体效率和EMI表现。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    NCE60R360K与标准TO-220、TO-252封装完全兼容,方便集成到现有设计中。此外,其引脚布局符合行业通用规范,易于与其他品牌器件替换。
    厂商支持
    VBsemi公司提供详尽的技术文档和技术支持服务,包括样品申请、开发指导以及长期供货保障。如有问题可通过服务热线400-655-8788联系技术支持团队。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致温升严重 | 减少开关频率,增加散热措施 |
    | 启动瞬间触发过流保护 | 检查驱动电路设计,确保启动平稳 |
    | 长期使用后性能下降 | 定期检查散热系统和接线接触质量 |

    7. 总结和推荐


    综合评估
    NCE60R360K凭借其领先的性能指标、优秀的性价比以及广泛的应用适应性,成为一款极具竞争力的功率MOSFET产品。它不仅满足了现代高效电源设计的需求,还具备出色的可靠性和易用性。
    推荐结论
    强烈推荐NCE60R360K用于任何需要高性能功率转换的场合。无论是数据中心、通信设备还是工业控制领域,这款产品都能为用户提供卓越的体验和支持。

NCE60R360K-VB参数

参数
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
配置 -
通道数量 1
Id-连续漏极电流 11A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 370mΩ(mΩ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NCE60R360K-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE60R360K-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCE60R360K-VB NCE60R360K-VB数据手册

NCE60R360K-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.8594
100+ ¥ 4.4995
500+ ¥ 4.1395
2500+ ¥ 3.9595
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