处理中...

首页  >  产品百科  >  VBE2102N

VBE2102N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-100V,-50A,RDS(ON),22mΩ@10V,26mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: VBE2102N TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBE2102N

VBE2102N概述


    产品简介


    P-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET是一款采用沟槽场效应晶体管(TrenchFET®)技术设计的高性能电子元器件。该器件具有出色的耐高温特性,能够在-55至175°C的极端环境下正常工作,适用于各种恶劣环境下的应用。P-Channel MOSFET主要用于高电流和高压的开关电路,在电源管理、电机驱动及逆变器等领域有着广泛应用。

    技术参数


    基本参数
    - 电压额定值:VDS = 100V
    - 最大漏源电流:ID = -50A
    - 栅源击穿电压:VGS = ±20V
    - 反向传输电容:Crss = 235pF
    - 总栅极电荷:Qg = 160nC(VGS = -10V时)
    - 零栅源漏电流:IDSS = -1µA(VDS = -100V,VGS = 0V)
    热特性
    - 最大功率耗散:PD = 136W(TC = 25°C)
    - 热阻:RthJA = 15°C/W(瞬态)
    - 热阻:RthJC = 0.85°C/W(稳态)

    产品特点和优势


    P-Channel 100-V MOSFET具备多项独特的技术和性能优势:
    1. 高温工作能力:能够在高达175°C的温度下稳定运行,确保在极端条件下依然保持高效性能。
    2. 低导通电阻:在栅源电压VGS为-10V和-4.5V时,对应的导通电阻分别为0.017Ω和0.021Ω,从而实现较低的功耗。
    3. 快速开关速度:得益于先进的TrenchFET®技术,该器件具有出色的开关特性,能够迅速完成状态转换。
    4. 卓越的可靠性和稳定性:经过严格的质量控制,确保在各种应用中具备出色的可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该器件广泛应用于工业控制系统、电动汽车充电桩、太阳能逆变器和电源管理模块等。例如,在太阳能逆变器中,它可以作为关键的开关组件,用于高效地将直流电转换为交流电。
    使用建议
    - 散热管理:在使用过程中需要特别注意散热问题,避免过高的温度导致器件损坏。可以考虑使用散热片或者散热器以提高散热效率。
    - 驱动电路设计:确保驱动电路能够提供足够强的信号,以实现快速而稳定的开关操作。同时,还需要考虑器件在不同工作条件下的安全裕度。

    兼容性和支持


    该器件与标准的DIP封装兼容,便于在多种板级应用中使用。VBsemi公司提供了详尽的技术文档和支持,帮助用户在开发过程中克服可能出现的技术难题。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 器件发热过高:如何有效进行散热?
    - 解决方案:增加散热片或散热器,确保良好的空气流通,降低器件工作温度。
    2. 驱动信号不稳定:驱动信号如何保证稳定?
    - 解决方案:优化驱动电路设计,增加滤波电容,确保驱动信号稳定。
    3. 工作频率过高:如何处理高频损耗问题?
    - 解决方案:适当降低工作频率,选择更合适的驱动信号频率范围,减少高频损耗。

    总结和推荐


    P-Channel 100-V MOSFET凭借其出色的耐高温性能、低导通电阻和快速的开关速度,成为工业应用中的理想选择。虽然价格相对较高,但其优越的性能使其在苛刻的工作环境中表现出色,非常值得推荐。如果您需要一个能够长期稳定工作的电子元器件,这款MOSFET将是您的不二之选。

VBE2102N参数

参数
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 50A
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 22mΩ@10V,26mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBE2102N厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBE2102N数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBE2102N VBE2102N数据手册

VBE2102N封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.2484
100+ ¥ 4.8596
500+ ¥ 4.4709
2500+ ¥ 4.2764
库存: 400000
起订量: 10 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 52.48
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336