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IPD50N04S4-08

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,40V,85A,RDS(ON),4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.85Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-IPD50N04S4-08 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPD50N04S4-08

IPD50N04S4-08概述

    IPD50N04S4-08-VB N-Channel 40-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    IPD50N04S4-08-VB 是一款采用 TrenchFET® 技术的功率 MOSFET,适用于同步整流和电源供应等领域。作为一款 N 沟道 MOSFET,它具备出色的性能和可靠性,特别适合于需要高效率转换的应用场景。

    技术参数


    - 主要规格
    - 额定电压 (VDS): 40V
    - 连续漏极电流 (ID): 85A (25°C),70°C 时为 70A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 250A
    - 最大雪崩能量 (EAS): 320mJ
    - 最大源-漏二极管电流 (IS): 110A
    - 最大连续功率耗散 (PD): 312W (25°C),200W (70°C)

    - 电气特性
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):
    - 10V 时:0.0050Ω
    - 4.5V 时:0.0065Ω
    - 输入电容 (Ciss): 2380pF
    - 输出电容 (Coss): 550pF
    - 反向传输电容 (Crss): 250pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 80nC (最大值)
    - 门极电阻 (Rg): 0.85Ω (f=1MHz)
    - 热阻
    - 最大结点到环境热阻 (RthJA): 32°C/W
    - 最大结点到外壳热阻 (RthJC): 0.33°C/W
    - 工作温度范围
    - 工作温度 (TJ): -55°C 至 150°C
    - 存储温度 (Tstg): -55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    - 高效能:极低的 RDS(on) 值,确保高效率转换。
    - 稳定性:通过严格的 UIS 测试和可靠性测试,确保长期稳定运行。
    - 快速开关特性:优秀的动态特性(如低输入电容、输出电容和反向传输电容),使其能够实现快速开关操作。
    - 安全性:具有较高的额定电压和电流能力,适用于苛刻的工作环境。

    应用案例和使用建议


    - 应用领域:
    - 同步整流
    - 电源供应
    - 电池充电器

    - 使用建议:
    - 在设计电路时,需考虑 PCB 的布局和散热问题,以确保 MOSFET 能够在规定的温度范围内安全运行。
    - 为了实现最佳性能,建议使用低阻抗门极驱动器,并根据电路需求选择合适的栅极电阻值。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IPD50N04S4-08-VB 封装为 TO-252,适合表面贴装工艺,可广泛应用于各类电子产品中。
    - 支持与维护:如有任何技术问题,可通过电话 400-655-8788 联系厂商获取支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:高温下功率耗散不足。
    - 解决方法:增加散热片或采用外部散热器以增强散热效果。
    - 问题2:开关速度慢。
    - 解决方法:降低栅极电阻值,提高门极驱动信号的速度。
    - 问题3:过高的栅极电压导致损坏。
    - 解决方法:确保在规定范围内使用,避免超过绝对最大额定值。

    总结和推荐


    IPD50N04S4-08-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,适用于各种高效率转换应用。其出色的性能和稳定性使其在市场上具有很高的竞争力。建议在设计需要高效率和可靠性的电路时选用此款产品。
    综上所述,强烈推荐在需要高效率和可靠性的电源供应、电池充电器等应用中使用 IPD50N04S4-08-VB。

IPD50N04S4-08参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
最大功率耗散 312W
Vds-漏源极击穿电压 40V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.38nF@20V
Vgs-栅源极电压 25V
配置 -
Id-连续漏极电流 53A
栅极电荷 11nC@ 10V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPD50N04S4-08厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPD50N04S4-08数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPD50N04S4-08 IPD50N04S4-08数据手册

IPD50N04S4-08封装设计

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