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IRLML6246TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: 14M-IRLML6246TRPBF SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRLML6246TRPBF

IRLML6246TRPBF概述


    产品简介


    N-Channel 20V (D-S) MOSFET IRLML6246TRPBF
    IRLML6246TRPBF是一款N沟道20V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于各种电源管理及控制电路。它具备低导通电阻(RDS(on))的特点,确保了高效率的电流控制,同时在DC/DC转换器和便携式应用中的负载开关等场合表现优异。

    技术参数


    以下是该MOSFET的关键技术规格:
    - 电压范围:最大漏源电压(VDS)为20V。
    - 电流范围:
    - 持续漏极电流(ID)为6A(TC=25°C)。
    - 最大脉冲漏极电流(IDM)为20A(TC=25°C)。
    - 源漏二极管连续电流(IS)为1.75A(TC=25°C)。
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - 在VGS=4.5V时为0.028Ω。
    - 在VGS=2.5V时为0.042Ω。
    - 在VGS=1.8V时为0.050Ω。
    - 总栅电荷(Qg):典型值为8.8nC(VDS=10V,VGS=4.5V,ID=5.0A)。
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDS)为20V。
    - 栅源电压(VGS)为±12V。
    - 最大功率耗散(PD)为2.1W(TC=25°C)。
    - 工作温度范围(TJ, Tstg)为-55°C到150°C。

    产品特点和优势


    - 环保设计:采用无卤素材料,符合IEC 61249-2-21标准,同时符合RoHS指令。
    - 高效能:超低RDS(on),在不同栅源电压下的电阻表现出色,保证了高效能的电流控制。
    - 可靠测试:100%栅电阻(Rg)测试。
    - 快速响应:具备快速的开关时间(Turn-On Delay Time,Turn-Off Delay Time等),适合高频应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - DC/DC转换器:IRLML6246TRPBF特别适用于需要高效率和高频率开关的应用,如便携式电源设备中的DC/DC转换器。
    - 负载开关:由于其低导通电阻和良好的热稳定性,这款MOSFET非常适合用于便携式应用中的负载开关,以实现高效的电流控制。
    使用建议
    - 在使用过程中,需确保在栅源电压不超过12V,且工作温度不超过150°C的情况下操作,避免因过压或过温导致的损坏。
    - 建议使用专用的散热片以提高功率耗散能力,尤其是在高负载电流下运行时。
    - 对于DC/DC转换器应用,可以通过适当降低RDS(on)来进一步提高效率。

    兼容性和支持


    IRLML6246TRPBF与常见的电源管理芯片和控制器兼容,适合作为便携式设备中的电源开关元件。该产品由VBsemi提供技术支持,如遇任何问题,可联系官方的服务热线400-655-8788或访问官网www.VBsemi.com获取帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关时间过长 | 检查栅极驱动电阻(Rg)是否过小,尝试减小栅极驱动电阻。 |
    | 导通电阻过高 | 确认栅源电压是否达到规定值,必要时增加栅源电压。 |
    | 散热问题 | 检查散热措施是否足够,考虑增加散热片或采用更好的散热设计。|

    总结和推荐


    总体来说,IRLML6246TRPBF是一款出色的N沟道MOSFET,以其低导通电阻、环保设计和高可靠性成为DC/DC转换器和便携式应用中的优选元件。无论是在设计紧凑的便携式设备还是高效率的电源管理系统中,IRLML6246TRPBF均表现出色。强烈推荐使用此款产品,特别是对于对高效率和可靠性的应用要求较高的场合。

IRLML6246TRPBF参数

参数
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
栅极电荷 7.7nC@ 4.5V
Vgs-栅源极电压 12V
最大功率耗散 2.1W
Id-连续漏极电流 6A
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 865pF@10V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.845nF@15V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRLML6246TRPBF厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRLML6246TRPBF数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRLML6246TRPBF IRLML6246TRPBF数据手册

IRLML6246TRPBF封装设计

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