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90N55F4-VB TO263

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,150A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率、高电流应用的要求,是一款适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。
供应商型号: 90N55F4-VB TO263 TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 90N55F4-VB TO263

90N55F4-VB TO263概述

    90N55F4-VB TO263 MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    90N55F4-VB TO263 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道60V(D-S)MOSFET。它采用先进的TrenchFET®工艺制造,适用于多种电力应用领域,包括开关电源、电机驱动和其他需要高效率和低功耗的应用场合。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 栅源电压 \( V{GS} \):± 20 V
    - 漏源电压 \( V{DS} \):60 V
    - 最大脉冲漏极电流 \( I{DM} \):350 A
    - 单脉冲雪崩电流 \( I{AS} \):65 A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \):211 mJ
    - 最大功率耗散 \( PD \):220 W (Tc = 25°C),70 W (Tc = 125°C)
    - 连续漏极电流 \( I{D} \):65 A (Tc = 125°C)
    - 热阻 \( R{thJA} \):40°C/W (当安装在1英寸方PCB上时)
    - 静态特性
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \):2.0 V 至 4.0 V
    - 零栅电压漏极电流 \( I{DSS} \):1 μA (Tj = 125°C),250 μA (Tj = 175°C)
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \):4 mΩ (Vgs = 10 V),12 mΩ (Tj = 125°C)
    - 动态特性
    - 输入电容 \( C{iss} \):7000 pF (Vgs = 0 V,Vds = 25 V)
    - 输出电容 \( C{oss} \):715 pF
    - 转移电容 \( C{rss} \):360 pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \):96 nC (Vgs = 10 V,Vds = 30 V)
    - 开启延迟时间 \( t{d(on)} \):16 ns (Vdd = 30 V,RL = 0.4 Ω)

    3. 产品特点和优势


    - 高效率:采用TrenchFET®技术,显著降低导通电阻和热阻,提高整体能效。
    - 高可靠性:100% Rg和UIS测试确保产品质量。
    - 低热阻:采用低热阻封装,改善散热效果,延长使用寿命。
    - 广泛的工作温度范围:工作温度范围为-55°C至+175°C,适合恶劣环境下的应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源:90N55F4-VB TO263适用于各种开关电源设计,可以有效减少损耗并提高转换效率。
    - 电机驱动:在电机驱动系统中,这款MOSFET能够提供稳定的电流输出,提高系统的可靠性和稳定性。
    - 电池管理:适用于电池管理系统,能够高效管理和控制电池充电和放电过程。
    使用建议:
    - 在设计电路时,考虑到MOSFET的工作环境和散热需求,合理布局散热片和选用合适的PCB。
    - 在进行电路调试时,建议逐步增加输入电压,以避免因瞬间过载导致器件损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与大多数标准TO-263封装的MOSFET具有良好的兼容性。
    - 技术支持:台湾VBsemi提供完善的技术支持和售后服务,包括产品文档、软件工具和现场技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:MOSFET在使用过程中发热严重。
    - 解决方案:检查散热片是否安装到位,调整PCB布局以改善散热效果。
    - 问题:电路无法正常工作。
    - 解决方案:确认所有引脚连接正确,特别是栅极引脚,避免浮空或短路。
    - 问题:器件寿命短。
    - 解决方案:检查工作条件是否超出额定范围,合理设计电路以避免过载。

    7. 总结和推荐


    综上所述,90N55F4-VB TO263是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于多种电力电子应用。其高效率、高可靠性及广泛的温度范围使其在市场上具备较强的竞争力。建议在需要高效、可靠的电力应用中优先考虑此款MOSFET。

90N55F4-VB TO263参数

参数
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
通道数量 -

90N55F4-VB TO263厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

90N55F4-VB TO263数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 90N55F4-VB TO263 90N55F4-VB TO263数据手册

90N55F4-VB TO263封装设计

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