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6R600C6-VB TO220F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: 6R600C6-VB TO220F TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 6R600C6-VB TO220F

6R600C6-VB TO220F概述

    6R600C6-VB TO220F N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    6R600C6-VB 是一款由VBsemi生产的TO220F封装的N沟道功率MOSFET。这款MOSFET具有高击穿电压(650V)和低导通电阻,适用于多种高压应用,如服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源以及照明设备(例如高强度放电灯HID和荧光灯)。工业应用中也常见其身影。

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 击穿电压 (VDS) 650 V |
    | 导通电阻 (RDS(on))| 10 V 6.2 Ω
    | 总栅极电荷 (Qg) | 10 V 43 nC
    | 输入电容 (Ciss) | 10 V 5 nC
    | 栅极-漏极电容 (Qgd) 22 nC
    | 集电极电流 (ID) | 25 °C | 12 | 9.4 A
    | 极限脉冲电流 (IDM) 45 A
    | 工作温度范围 (TJ) -55 | +150 °C

    3. 产品特点和优势


    - 低RDS(on) x Qg:这款MOSFET具有非常低的RDS(on)和Qg,这意味着更低的开关损耗和更高的效率。
    - 低输入电容:低输入电容有助于减少驱动损耗。
    - 快速开关特性:超低的栅极电荷确保了快速开关时间,进一步降低了功耗。
    - 增强的可靠性:具有重复的雪崩能量额定值,可在高能环境稳定工作。

    4. 应用案例和使用建议


    6R600C6-VB广泛应用于开关电源和工业设备中。在设计电路时,应考虑使用较低的栅极电阻以优化开关速度和减少驱动损耗。在高电流应用中,应考虑热管理和散热措施,以确保MOSFET不会过热。

    5. 兼容性和支持


    6R600C6-VB可与其他标准TO220F封装的元器件互换使用。VBsemi提供全面的技术支持,包括在线文档、应用指南和技术咨询热线。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过高的导通电阻 | 检查连接电阻是否合适,调整栅极电阻。 |
    | 开关速度过慢 | 降低栅极电阻,减少驱动损耗。 |
    | 过温报警 | 确保适当的散热设计,增加外部散热片。 |

    7. 总结和推荐


    6R600C6-VB是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具备出色的电气特性和可靠性,适用于多种高压应用。其低RDS(on) x Qg、快速开关时间和优秀的输入电容使其在各种环境中表现出色。对于需要高效率和可靠性的应用,强烈推荐使用6R600C6-VB。

6R600C6-VB TO220F参数

参数
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -

6R600C6-VB TO220F厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

6R600C6-VB TO220F数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 6R600C6-VB TO220F 6R600C6-VB TO220F数据手册

6R600C6-VB TO220F封装设计

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