处理中...

首页  >  产品百科  >  J473-01L-VB TO252

J473-01L-VB TO252

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252\n可用于稳压器、电源开关模块等领域。其低导通电阻和高阈值电压使其特别适用于需要高效率和高稳定性的应用,如无线通信设备中的功率放大器模块、LED照明驱动器等。此外,其低阈值电压和大额定漏极电流也使其成为家用电器控制模块、工业电机控制器等领域的理想选择。
供应商型号: J473-01L-VB TO252 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J473-01L-VB TO252

J473-01L-VB TO252概述


    产品简介


    本文档介绍了一款型号为J473-01L的P沟道60V(D-S)MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。此产品属于功率MOSFET类别,适用于负载开关等应用场景。P沟道MOSFET的主要功能是控制电路中的电流流动,通过调整栅极电压来实现开关操作。由于其高效、低损耗的特性,这类器件广泛应用于电源管理、电机驱动、直流/交流转换等领域。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压(VDS):最高60V
    - 栅极-源极电压(VGS):±20V
    - 工作温度范围:-55°C 至 175°C
    - 最大功率耗散:在TC=25°C下为34W,在TA=25°C下为4W
    - 热阻:稳态时为62°C/W至75°C/W,瞬态时为20°C/W至25°C/W
    - 极限电流:连续漏极电流(TJ=175°C)为-30A,单脉冲漏极电流(IDM)为-30A
    - 静态特性
    - 导通电阻(RDS(on)):在VGS=-10V,ID=-5A时为0.100Ω,在VGS=-4.5V,ID=-2A时为0.072Ω
    - 零栅极电压漏极电流(IDSS):在VDS=-60V,TJ=125°C时为-50μA,TJ=175°C时为-150μA
    - 转移电容(Ciss, Coss, Crss):Ciss为1000pF,Coss为120pF,Crss为100pF
    - 动态特性
    - 输入电荷(Qg):在VDS=-30V,VGS=-10V,ID=-8.4A时为10nC
    - 门极电阻(Rg):8.0Ω
    - 开启延迟时间(td(on)):6ns
    - 上升时间(tr):15ns
    - 关断延迟时间(td(off)):16ns
    - 下降时间(tf):8ns

    产品特点和优势


    J473-01L MOSFET具有以下几个显著特点和优势:
    - TrenchFET®技术:采用先进的沟槽工艺制造,确保低导通电阻和高可靠性。
    - UIS测试:100%经过雪崩耐受测试,保证产品的稳定性和耐用性。
    - 高性能:低导通电阻和快速开关速度,使得其在高频和高压应用中表现出色。
    这些特性使其在多种应用中具有强大的竞争力,尤其适合于需要高效率和高可靠性的场合。

    应用案例和使用建议


    J473-01L MOSFET在负载开关的应用中表现出色,例如在直流电机驱动、LED照明和各种电源转换模块中。为了优化性能,建议如下:
    - 设计时注意散热:考虑到高功率应用中的热管理,应使用适当的散热措施,如散热片或风扇。
    - 合理布局:保持栅极引脚和源极引脚之间的距离,减少杂散电感的影响。
    - 考虑工作温度:由于工作温度范围较宽,应根据具体应用场景选择合适的封装材料和散热策略。

    兼容性和支持


    J473-01L MOSFET与标准的表面贴装工艺兼容,适用于1" x 1" FR-4板。制造商提供详尽的技术支持和维护服务,包括在线文档、论坛和技术支持热线(400-655-8788),以便用户在遇到问题时能够及时获得帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:MOSFET工作时过热
    - 解决方法:增加散热装置,改善散热条件;检查并优化电路布局以减少热耗散。
    - 问题2:开启延迟时间过长
    - 解决方法:检查门极电阻(Rg)设置,适当减小以加快响应速度;确保驱动信号有足够的驱动能力。

    总结和推荐


    综上所述,J473-01L P沟道MOSFET以其出色的性能、坚固的可靠性以及广泛的应用场景,在众多同类产品中脱颖而出。它不仅在高效率应用中表现优异,还能满足恶劣环境下的长期使用需求。因此,我们强烈推荐这款产品用于任何需要高性能MOSFET的场合。

J473-01L-VB TO252参数

参数
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -

J473-01L-VB TO252厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J473-01L-VB TO252数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J473-01L-VB TO252 J473-01L-VB TO252数据手册

J473-01L-VB TO252封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
库存: 400000
起订量: 15 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 32.07
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504