处理中...

首页  >  产品百科  >  04N60S5-VB TO220

04N60S5-VB TO220

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220 适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
供应商型号: 04N60S5-VB TO220 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 04N60S5-VB TO220

04N60S5-VB TO220概述


    产品简介


    本产品为一款低栅极电荷(Qg)的N沟道MOSFET,型号为04N60S5-VB。它的主要特点是低驱动需求和高可靠性,适用于多种电源管理和开关电路应用。这种MOSFET广泛应用于开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)以及高速功率转换等领域。

    技术参数


    - 额定电压(VDS):600V
    - 最大连续漏极电流(ID):25°C时为8.0A,100°C时为5.8A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):37A
    - 最大输出电容(Coss):180pF
    - 栅源电荷(Qgs):13nC
    - 栅漏电荷(Qgd):20nC
    - 静态漏源导通电阻(RDS(on)):VGS = 10V时为0.780Ω
    - 工作温度范围(TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C
    - 热阻抗(RthJA):最大62°C/W
    - 反向恢复峰值电压(dV/dt):5.0V/ns
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):290mJ
    - 重复雪崩电流(IAR):8.0A
    - 重复雪崩能量(EAR):17mJ

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷(Qg):简化驱动要求,降低驱动电路复杂度。
    - 高可靠性:改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。
    - 全面表征的电容和雪崩电压电流:确保产品的一致性和可靠性。
    - 宽工作温度范围:从-55°C到+150°C,适用于广泛的环境条件。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关模式电源(SMPS):利用其高耐压能力和低损耗特性,实现高效能电源转换。
    - 不间断电源(UPS):提供可靠的电力保护和转换,适用于关键应用。
    - 高频率功率开关:快速开关特性使得它在高频应用中表现出色。
    使用建议
    - 布局设计:考虑减少寄生电感和泄漏电感,使用接地平面以提高系统整体性能。
    - 散热管理:由于其较高的功耗能力,需要良好的散热设计以维持性能。

    兼容性和支持


    这款MOSFET与大多数标准的电源管理系统兼容,且供应商提供详细的技术文档和支持。如果需要进一步的集成指导或技术支持,可以联系供应商获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何正确安装MOSFET以避免损坏?
    - 答:遵循制造商的推荐安装指南,确保焊接温度不超过300°C,并使用扭矩适中的螺丝固定。
    2. 问:如何防止栅极过压损坏MOSFET?
    - 答:使用合适的栅极驱动电路并添加外部栅极保护电路如栅极电阻或二极管。
    3. 问:在高频应用中,如何减少MOSFET的开关损耗?
    - 答:通过优化驱动波形和减小寄生电感来减少开关损耗。

    总结和推荐


    综上所述,04N60S5-VB是一款具备高性能、可靠性和广泛应用性的N沟道MOSFET。它特别适合于高频率、高温和高可靠性要求的应用场合。尽管价格相对较高,但其优异的性能和广泛的适用性使其成为许多关键电源管理系统的首选。强烈推荐在需要高可靠性和高性能的应用中采用此产品。

04N60S5-VB TO220参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -

04N60S5-VB TO220厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

04N60S5-VB TO220数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 04N60S5-VB TO220 04N60S5-VB TO220数据手册

04N60S5-VB TO220封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.1091
100+ ¥ 2.8788
500+ ¥ 2.7636
1000+ ¥ 2.6485
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 31.09
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336